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銻化鎵
鎖定
GaSb是一種Ⅲ -Ⅴ族化合物半導體材料, 對它的研究遠不如其他半導體材料(如GaAs , InP 等)那樣深入。但近些年來這種材料越來越引起人們興趣, 這主要是光纖通信技術的發展, 對新器件的潛在需求而引起的。在光通信中為了減少傳輸中的損耗, 總是儘可能採用較長波長的光, 最早使用0 .8μm 波長的光, 使用1 .55 μm 波長的光。據估計下一代光纖通信將採用更長波長的光。研究表明某些非硅材料光纖在波長為(2 ~ 4)μm 的範圍時傳輸損耗更小。在所有Ⅲ -Ⅴ族材料中,GaSb作為襯底材料引起了更多的注意, 因為它可以與各種Ⅲ -Ⅴ族材料的三元、四元固熔體合金的晶格常數相匹配, 這些材料光譜的範圍在(0 .8 ~ 4 .0)μm 之間, 正好符合要求。另外, 利用GaSb基材料超晶格的帶間吸收也可以製造更長波長(8 ~ 14)μm 範圍的探測器。
GaSb基材料製造的器件除了在光纖通信中有巨大的潛在應用價值外, 在其他領域也有很大的潛在應用價值, 如製作多種用途的紅外探測器件及火箭和監視系統中的紅外成像器件, 用於火災報警和環境污染檢測的傳感器, 監測工廠中腐蝕氣體(如HCl等)和有毒氣體的泄漏的傳感器等。
- 中文名
- 銻化鎵
- 外文名
- Gallium antimonide
- 類 型
- 半導體材料
- CAS號
- 12064-03-8
銻化鎵物質性質和管制
銻化鎵物質資料
英文名稱:Gallium antimonide
EINECS號:235-058-8
分子式:GaSb
分子量:191.4814
晶格類型:閃鋅礦結構,屬於立方晶系
銻化鎵出口管制
根據國家規定,《中華人民共和國出口管制法》《中華人民共和國對外貿易法》《中華人民共和國海關法》有關規定,為維護國家安全和利益,經國務院批准,決定對鎵、鍺相關物項實施出口管制。有關事項公告如下:
一、滿足以下特性的物項,銻化鎵。包括但不限於多晶、單晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形態
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- 參考資料
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- 1. GaSb 材料特性、製備及應用 .中國知網.1999[引用日期2015-8-29]
- 2. 商務部 海關總署公告2023年第23號 關於對鎵、鍺相關物項實施出口管制的公告 .商務部[引用日期2023-07-04]