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鈦靶
鎖定
鈦靶，純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。
- 中文名
- 鈦靶
- 指 標
- 純度
鈦靶基本信息
品 名 | 純度 | 密度 | 鍍膜優勢色 | 形狀 | 常規尺寸 | 應用行業 |
鈦鋁（TiAl）合金靶 | 2N8-4N | 3.6-4.2 | 玫瑰金/咖啡色 | 圓柱形 | 直 徑 60/65/95/100*30/32/40/45mm | 裝 飾 / 工 具 |
純鉻（Cr）靶 | 2N7-4N | 7.19 | 白色/黑色 | 圓柱形 | ||
純鈦（Ti）靶） | 2N8-4N | 4.51 | 金黃色/槍黑色 藍色/玫瑰紅 | 圓柱形 | ||
純鋯（Zr）靶 | 2N5-4N | 6.5 | 金色 | 圓柱形 | ||
純鋁（Al））靶 | 4N-5N | 2.7 | 銀色 | 圓柱形 | ||
純鎳（Ni）靶 | 3N-4N | 8.9 | 金屬本色 | 圓柱形 | ||
鎳釩（Ni）靶 | 3N | 8.57 | 藍綠色 | 圓柱形 | ||
純鈮（Nb）靶 | 3N | 8.57 | 白色 | 圓柱形 | ||
純鉭（Ta）靶 | 3N5 | 16.4 | 黑色/紫色 | 圓柱形 | ||
純鉬（Mo）靶 | 3N5 | 10.2 | 黑色 | 圓柱形 |
鈦靶性能要求
靶材的主要性能要求:
純度
不過在實際應用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨着微電子行業的迅速發展，硅片尺寸由6”, 8“發展到12”, 而佈線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而製備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。
雜質含量
靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。例如，半導體工業用的純鋁及鋁合金靶材，對鹼金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度
為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響着薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和強度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應力。密度也是靶材的關鍵性能指標之一。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分佈
通常靶材為多晶結構，晶粒大小可由微米到毫米量級。對於同一種靶材，晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分佈均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分佈更均勻。
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