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邱晨光

（北京大學電子學院研究員）

鎖定

邱晨光，特聘研究員，博士生導師。

現任北京大學電子學院研究員。^[1]

中文名: 邱晨光

主要成就: “博雅青年學者”

邱晨光人物經歷

2011年於西安電子科技大學取得微電子專業學士學位，2016年於北京大學取得物理電子學專業博士學位，2016-2019年在北京大學電子學系從事博士後研究，2019年起入職北京大學電子學院任研究員。^[1]

邱晨光研究方向

研究領域：低維電子學；擬態神經電子器件與系統集成；陡峭亞閾值擺幅超低功耗器件^[1]

邱晨光主要成就

研究成果

北京大學電子學院研究員，“博雅青年學者”。國家基金委“優青”（2021）、國家重點研發計劃青年首席科學家（2021）。從事納米電子器件方面研究，在Nature, Science, Nature Electronics, Nature Nanotechnology, ACS Nano, Nano Letters, IEDM等頂級國際期刊和會議上發表論文；以第一作者和通訊作者在《科學》上發表論文兩篇，在《自然》上發表論文一篇。2017年Science論文“5納米柵長碳納米管晶體管”入選ESI高被引用論文和熱點論文，入選中國高校十大科技進展，中國100篇國際高影響論文。2018年Science論文“狄拉克冷源晶體管”首次在國際上提出並實現冷源亞60超低功耗新器件機制，拓寬了超低功耗器件領域範圍，入選全國科創中心重大標誌性原創成果。2023年Nature論文“彈道InSe晶體管”研製出世界上迄今彈道率最高、速度最快、功耗最低的二維晶體管，性能超過硅基極限。^[1]

2023年，北京大學電子學院彭練矛院士、邱晨光研究員團隊研發出彈道二維硒化銦（InSe）晶體管，這是世界上迄今速度最快、能耗最低的二維半導體晶體管，其實際性能超過英特爾商用最先進的硅基晶體管。^[2]

主持項目：

1.國家基金委，“優秀青年科學基金”

2.國家重點研發計劃重點專項，“變革性技術關鍵科學問題”，青年首席科學家

3. K*W-JC*Q-ZD，首席科學家

4.國家基金委，自然科學基金面上項目

5.中國科協，“青年人才託舉工程”^[1]