邊緣釉

通常,普通高壓瓷軸的表面電阻率在104歐姆以上,而半導體釉的表面電阻率卻為10~10°歐姆,即界於絕緣體與半導體之間,故稱為半導體釉。半導體釉是從四十年代開始由西歐發展起來的。,早期採用以鐵酸鋇、氧化鐵和氧化鈦為主要成分的鐵型釉或鐵一鈦型釉,因其負電阻温度係數較大,耐電化學腐蝕性能差,所以僅用來塗在瓷絕緣子電場集中的部位,以改善其電場分佈,提高產生電綠或局部電弧的電壓,從而防止由此而引起的無線電干擾。這種局部塗施的半導體釉稱為“邊緣釉"。 ^[1] 

大致可分為:氧化鐵-鈦型、氧化鈦型、氧化銻-錫型、二硅化鉬型四種。 ^[1] 

普通絕緣子的電壓分佈是很不均勻的大體上,電壓沿泄漏距離方向上的分佈呈U字形,這種不均勻性常常是在污秒潮濕條件下引起局部電弧,進而導致污閃事故的基本原因。半導體釉絕緣子,由於其表面電阻比普通高壓瓷釉的低幾個數量級,其電壓基本上按電阻分佈,因而與泄漏距離幾乎呈線性關係,所以絕緣子的每一部分幾乎在等壓的條件下工作,故有效地防止了局部電弧的產生和發展。 ^[1] 

在運行中,釉層持續地通過幾毫安泄漏電流,由此產生熱效應,可以使絕緣子的温度比環境温度高35℃,因而可阻止露、霧的凝聚,或烘乾潮濕。 ^[1] 

消除了由於乾燥帶的形成而引起的局部放電普通絕緣子在污穢潮濕條件下常常產生環狀或“帶狀”乾燥區,這些乾燥區具有較大的壓降,以致形成局部電弧。由於電弧弧足的加熱,使電弧延伸,最終發展成閃絡。 ^[1]