輸入特性

晶體管共射接法的輸入特性曲線可表示為

對於一條特定的輸入特性曲線，U(CE)為常數；對應不同的U(CE)，輸入特性不同，故輸入特性曲線是隨U(CE)變化的曲線族。

U(CE)=0V情況

此時，晶體管集電極和發射極短接，晶體管相當於並聯且正向偏置的兩個二極管，其輸入特性曲線與二極管伏安特性曲線一致。

U(CE)≥1V情況

對正向導通的硅管，死區電壓U(BE(on))≈0.7V，當U(CE)=1V時，U(CB)=U(CE)-U(BE)=0.3V。集電結由正向偏置轉化為反向偏置，它對由發射區經過基區到達集電結靠近基區一側電子的吸引能力增強，電子在基區中的複合減少，本就極薄的基區寬度進一步減小，即產生基區寬度調製效應，故此時I(B)較U(CE)=0時減小，輸入特性曲線右移。隨着U(CE)進一步增大，I(B)進一步減小，輸入特性曲線進一步右移，但變化已不顯著，因此工程實用上常以U(CE)=1V時的輸入特性曲線代替U(CE)＞1V時的輸入特性曲線。