負載效應

三種效應圖解説明如圖1所示。

宏觀負載效應：因刻蝕總面積的增加而導致整體刻蝕速率下降，如圖1（a）所示。當刻蝕面積僅佔樣品總面積1%的情況下，硅刻蝕最高達到50μm/min；而當刻蝕面積佔樣品總面積20%時，最高刻蝕速率只能達到30μm/min。這使刻蝕速率的控制變得十分困難，因為同樣的刻蝕工藝參數對不同設計圖形可能會得到不同的刻蝕深度。在刻蝕不同的設計圖案之前，必須首先通過實驗探索摸出相應的最佳參數。

微觀負載效應：在同一設計圖案內圖形密度的不同導致刻蝕速率的不同，如圖1（b）所示。在圖形密集的區域反應離子的有限成分消耗的快，造成供給失衡，刻蝕速率下降。會造成圖形密集區域刻蝕深度小於圖形稀疏區域，導致樣品整體刻蝕深度的不均勻分部。

與刻蝕深寬比相關的微負載效應（ARDE）主要表現在同一襯底不同尺寸的圖形刻蝕深度不同。寬的圖形刻蝕深，窄的圖形刻蝕淺，如圖1（c）所示。圖2是實驗結果展示的ARDE效應，圖形寬度與相應的刻蝕深度測量列於表1中。這是因為高深寬比結構隨着刻蝕深度的增加，刻蝕表面的有效反應成分進入深槽或深孔以補充消耗掉的部分。所以與刻蝕深寬比相關的負載效應還被稱為RIE滯後效應（RIE lag）或孔徑效應（Aperture Effect）還有一些其他機理被用來解釋ARDE現象。

均勻性的一些問題是因為刻蝕速率和刻蝕剖面與圖形尺寸和密度有關而產生的。刻蝕速率在小窗口圖形中比較慢，甚至在具有高深寬比的小尺寸圖形刻蝕居然停止。為了提高均勻性，必須把硅片表面的ARDE效應減至最小 ^[2]  。

其中，R0是空腔刻蝕速率，A是待刻蝕薄膜暴露的面積，k是一個常數，通常可以通過篤定反應器壓力和提高刻蝕氣體的流量來減少k值 ^[3]  。