負性光致抗蝕劑

這是微電子器件和集成電路的圖形曝光技術中所採用的一種輻照敏感化合物[光致抗蝕劑]。

負性抗蝕劑是一種含有感光劑的聚合物，其中的感光劑在曝光後將發生交聯反應，變成不能被顯影液溶解掉的較高分子量的交聯聚合物；曝光後得到的圖形與掩模版圖形相反。

負性抗蝕劑的主要缺點是在顯影時將吸收顯影液、而發生體積膨脹，並從而限制了曝光的分辨率。光學曝光用的負性抗蝕劑有如Kodak747；電子束曝光用的負性抗蝕劑有如COP[poly (glycidyl methacrylate-co-ethyl acrylate)]和GeSe；x射線曝光用的負性抗蝕劑有如COP和DCOPA[dichloropropyl acrylate與COP]。