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膜片形成
鎖定
- 中文名
- 膜片形成
- 外文名
- Membrane formation
- 作 者
- 東芝松下DISPLAYTECHNOLOGY
- 特 性
- 阻抗式觸控單元設置在Cell內部
膜片形成特性
飛利浦則將阻抗式觸控單元設置在Cell內部，形成所謂的TFT-LCD觸控面板，具體結構是
在Cell內部設置厚度比Cell更薄的導電材料，接着利用覆膜的球狀隔離片（Spacer）與平
版印刷技術，在對向基板使ITO膜層堆棧凸出形成板內式觸控面板，類似這樣的觸控面板
板內化技術未來如果商品化，可能會對觸控面板業者造成巨大沖擊。
膜片形成具體表現
阻抗式四線觸控面板
上下各二個電極構成的阻抗式四線觸控面板的基本結構，第一次使用阻抗式四線觸控
面板時，必需依序在畫面四個角落觸壓進行初期位置偏差修正設定。
b.阻抗式八線觸控面板
八線觸控面板的基本結構，它是由一條平行電極連接兩條導線，其中一條是施加電壓
用主電極，另一條則是檢測施加於平行電極電壓的輔助電極，它可以自動修正偏差位置，減少煩瑣的初期位置修正動作。
高穿透率觸控面板
一般阻抗式觸控面板的光線穿透率大約80%左右，主要原因是傳統阻抗式觸控面板，使用
光線穿透率90%的ITO/玻璃基板當作下方電極，上方電極則使用光線穿透率80%的ITO
/樹脂膜片，因此觸控面板整體的光線穿透率只有80%。
最近研究人員利用抗反射（AR；AntiReflection）技術，開發光線穿透率高達98%觸控面板
用材料，它可以使傳統觸控面板80%的光線穿透率提高至87%。
一般ITO/玻璃基板與穿透率ITO/玻璃基板的基本結構比較；高穿透率觸控面板的基本結構。
低反射觸控面板
一般阻抗式觸控面板的光線反射率大約是10～20%左右，反射光造成面板對比降低，尤其
在強烈陽光下會變成致命性的傷害。
如果一般阻抗式觸控面板的表面黏貼1/4λ膜片，與偏光膜片構成的圓偏光膜片，通過該膜
片的反射光會被圓偏光膜片吸收，進而有效消除觸控面板的反射光。
是內側式（Inner）觸控面板的基本結構；照片1是傳統阻抗式觸控面板與內側式觸控
面板的比較。
根據實驗結果顯示內側式觸控面板的對比，大約是傳統阻抗式觸控面板2倍左右。
g.抗EMI觸控面板
上表面電氣阻抗越低電磁波遮蔽效果越高，通常使用表面阻抗□左右的導電性膜片（Film）。
為發揮EMI遮蔽效果，必需使帶電與帶磁負荷逃離導電面，EMI導電面設有電極線（匯流線：BusBar）。
抗燃型觸控面板
某些特殊用途的觸控面板要求抗燃燒特性，抗燃型觸控面板的基本結構。
為滿足抗燃燒設計規格，上方電極部材料必需同時兼具強韌、平坦與優秀光學特性的樹脂薄
i.窄邊幅觸控面板
類似行動電話等攜帶型電子機器，大多使用以下窄邊幅觸控面板，一般認為，未來觸控面
板邊幅大約只剩左右。
上方電極是由厚度的聚酯（Polyester）膜片濺鍍ITO膜層構成，ITO的彎曲特性與陶瓷一
樣非常脆弱，左右的曲率或是彎曲，就會斷線喪失導電功能，常用改善對策是反覆堆棧
ITO形成厚膜層；此外，兩膜片之間的黏合層具有緩衝效果。
上方電極膜片的拉伸與電氣特性，圖中的拉伸率是根據折射率計算獲得的換算值。
以往業者普遍認為17吋是阻抗式觸控面板的物理極限，不過透過電極材料、設計技巧、制
程改善，目前24吋阻抗式觸控面板已經進入商品化階段。
