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脱膠

(半導體制造工藝中的脱膠)

鎖定
在光致抗蝕劑顯影後發生的抗蝕劑圖形脱離襯底或者倒塌、粘黏的現象 [1] 
中文名
脱膠
外文名
peeling/collapse
通常因為襯底的黏性粘附力不足,或圖形高寬比過大、重心過高,抗蝕劑圖形底部粘附力不足以抵消顯影或者後續清洗工序中水或者其他溶劑的表面張力的影響 [1]  。因此,需要對襯底做表面處理、塗増粘剤或者增加緩衝層來增加底部粘附力,或者控制高寬比在合適的範圍,常見的安全高寬比為3:1,最大不應超過5:1,否則容易發生脱膠現象 [2] 
參考資料