缺陷

晶體生長過程中，由於原來純度、各組分配比、燒結方式、粉料顆粒度都不可能十分完美，晶體生長過程中，生長爐內的温度分佈、各組成成分的濃度分佈、熔體/溶液的流動方式、生長氣氛、提拉轉速與拉速等也都有所不同，不可能達到十分的完美，生長的晶體很可能會在局部出現週期性和對稱性的破壞，也就是説，出現這樣或那樣的缺陷。

缺陷的產生是很難避免的，有的時候，某些缺陷是晶體本身性質或者生長方法所不能避免的。 由於晶體生長的方法有很多種，根據晶體生長理論，在某些生長方法中，有時候缺陷的存在也是特定晶體生長方式的內在的生長驅動力。如果空間點陣結構學説考慮晶體是質點在三維空間的有序的無限週期性排列，那麼，所謂的晶體缺陷，就是指各種偏離晶體結構的週期重複排列的現象，而導致這種對於週期性的偏離的原因就是產生缺陷的因素。如果從固體物理的角度看，缺陷產生的原因，也就是在於各種能夠造成晶體的點陣結構的週期勢場畸變的因素。

晶體缺陷通常分為點缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷。在考察材料的機械性能時，線缺陷、面缺陷和體缺陷是非常重要的。點缺陷對材料的功能性質具有關鍵性的影響，因而是固體化學和物理所最關心的一類缺陷。

晶體中的點缺陷主要有：空位缺陷、間隙缺陷、雜質缺陷等。

M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的簡稱；

處在間隙位置上的M原子所形成的間隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符號，i表示原子處於間隙格位，是英文interstitial的簡稱；

處在M格位上的取代原子R形成的雜質缺陷是MR表示。

晶體中的點缺陷常帶有電荷，點缺陷的有效電荷等於缺陷位置的實際電荷減去理想晶體相應格位上的電荷，有效電荷用缺陷符號右上角的·，′和×分別表示帶有正、負電荷和不帶有效電荷。

例如氯化銀晶體中的間隙離子帶一個正電荷，在完美晶體中間隙格位的電荷為零，銀離子間隙缺陷的有效電荷是+1，用右上角的一個·表示，這種缺陷表示成Agi·。又如氯化鈉中的氯離子空位上的電荷為零，而正常格位上的氯離子的電荷為-1，因而氯離子空位缺陷的有效電荷是+1，表示成VCl·。