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結晶法

鎖定
利用混合物中各成分在同一種溶劑裏溶解度的不同或在冷熱情況下溶解度顯著差異,而採用結晶方法加以分離的操作方法。
只要有結晶形成,表明化合物純度達到了相當純度。結晶法是精製固體化合物的重要方法之一。初次析出的結晶往往不純,將不純的結晶處理製成較純結晶的過程叫重結晶
中文名
結晶法
原    理
利用混合物溶解度的不同
結    晶
化合物由非晶狀體成為晶狀體過程
條    件
濃度適當,降温緩慢

結晶法結晶與重結晶

結晶:化合物由非晶狀體成為晶狀體的過程。
溶液 ------ 濃縮放置或加入另一種溶劑等-----→ 結晶
重結晶
粗結晶 ---加熱,趁熱過濾--→ 濾液 ---放冷析晶,過濾--→ 結晶(較純)
例如:使晶體硝酸鉀與其中所含的氯化鈉雜質分離,就可以採用結晶的方法. 一般結晶法用於分離海水中的氯化鈉。

結晶法結晶溶劑的選擇

1、溶劑對欲結晶的成分熱時溶解度大,冷時溶解度小,差別越大越好;
2、溶劑對雜質在冷、熱時均溶或者不溶;
3、溶劑不與欲結晶成分發生化學反應
4、溶劑的沸點不宜過高或過低。

結晶法結晶的條件

一般而言,溶液的濃度適當,降温緩慢,放置時間長,結晶速度慢,則晶大而純。

結晶法降温結晶法

若有一杯不飽和溶液,先加熱溶液,蒸發溶劑成飽和溶液,此時降低熱飽和溶液的温度,溶解度隨温度變化較大的溶質就會呈晶體析出,叫降温結晶
例如:當NaCl和KNO3的混合物中KNO3多而NaCl少時,即可採用此法,先分離出KNO3再分離出NaCl。

結晶法蒸發結晶法

蒸發結晶:蒸發溶劑,使溶液由不飽和變為飽和,繼續蒸發,過剩的溶質就會呈晶體析出,叫蒸發結晶。例如:當NaCl和KNO3的混合物中NaCl多而KNO3少時,即可採用此法,先分離出NaCl,再分離出KNO3
可以觀察溶解度曲線,溶解度隨温度升高而升高得很明顯時,這個溶質叫陡升型,反之叫緩升型。
當陡升型溶液中混有緩升型時,若要分離出陡升型,可以用降温結晶的方法分離,若要分離出緩升型的溶質,可以用蒸發結晶的方法。
硝酸鉀就屬於陡升型,氯化鈉屬於緩升型,所以可以用蒸發結晶來分離出氯化鈉,也可以用降温結晶分離出硝酸鉀。
與蒸發相伴隨的往往有過濾。這裏介紹幾種常見的過濾方法
1 常壓過濾,所用儀器有:玻璃漏斗、小燒杯玻璃棒鐵架台等。要注意的問題有:在疊濾紙的時候要儘量讓其與玻璃漏斗內壁貼近,這樣會形成連續水珠而使過濾速度加快。這在一般的過濾中與速度慢的區別還不太明顯,當要求用熱過濾時就有很大的區別了。比如説在製備KNO3時,如果你的速度太慢,會使其在漏斗中就因冷卻而使部分KNO3析出堵住漏斗口,這樣實驗效果就會不太理想。
2 減壓過濾,所用儀器有:布氏漏斗抽濾瓶、濾紙、洗瓶、玻璃棒、循環真空泵等。要注意的問題有:選擇濾紙的時候要適中,當抽濾瓶與循環真空泵連接好後用洗瓶將濾紙周邊潤濕,後將要過濾的產品轉移至其中(若有溶液部分要用玻璃棒引流)。

結晶法重結晶法

將晶體溶於溶劑或熔融以後,又重新從溶液或熔體中結晶的過程。又稱再結晶。重結晶可以使不純淨的物質獲得純化,或使混合在一起的鹽類彼此分離。重結晶的效果與溶劑選擇大有關係,最好選擇對主要化合物是可溶性的,對雜質是微溶或不溶的溶劑,濾去雜質後,將溶液濃縮、冷卻,即得純制的物質。混合在一起的兩種鹽類,如果它們在一種溶劑中的溶解度隨温度的變化差別很大,例如硝酸鉀和氯化鈉的混合物,硝酸鉀的溶解度隨温度上升而急劇增加,而温度升高對氯化鈉溶解度影響很小。則可在較高温度下將混合物溶液蒸發、濃縮,首先析出的是氯化鈉晶體,除去氯化鈉以後的母液在濃縮和冷卻後,可得純硝酸鉀。重結晶往往需要進行多次,才能獲得較好的純化效果。

結晶法昇華結晶法

應用物質昇華再結晶的原理製備單晶的方法。物質通過熱的作用,在熔點以下由固態不經過液態直接 轉變為氣態,而後在一定温度條件下重新再結晶,稱昇華再結晶。1891年R.洛倫茨(Lorenz)利用昇華再結晶的基本原理生長硫化物小的晶體。1950年D.C. 萊諾爾茲(Reynolds)以粉末狀CdS為原料用昇華再 結晶方法制備了3×3火6mm的塊狀CdS晶體。1961 年W.W.培皮爾(PIPer)用標準昇華再結晶的方法生長了直徑為13mm的CdS單晶。昇華再結晶法已成 為生長H-硯族化合物半導體單晶材料的主要方法之一。 物質在昇華過程中,外界要對固態物質作功,使其 內能增加,温度升高。為使物質的分子氣化,單位物質所吸收的熱量必須大於昇華熱(即熔解熱氣化熱之 和),以克服固態物質的分子與周圍分子的親合力和環境的壓強等作用。獲得足夠能量的分子,其熱力學自由 能大大增加。當密閉容器的熱環境在昇華温度以上時, 該分子將在容器的自由空間內按布朗運動規律擴散。如 果在該容器的另一端創造一個可以釋放相變潛熱(即相 變過程中單位物質放出的熱量)的環境,則將發生凝華 作用而生成凝華核晶核。在生長單晶的情況下,釋放 相變潛熱,一般採用使帶冷指的錐形體或帶冷指的平面 處於一定的温度梯度內,並使尖端或平面的一點温度最 低,此處形成晶核的幾率最大。根據科賽爾結晶生長理 論,一旦晶核形成,新的二維核將沿晶核周邊階梯繼續 進行排列,當生長一層分子後,在其平坦的結晶面上將 有新的二維核形成,進而生成另一層新的分子層。決定 晶體生長的3個基本要素是表徵系統自由能變化的臨界 半徑、二維核存在的幾率和二維核形成的頻度。昇華再 結晶法可用於熔點下分解壓力大的材料,如製備CdS、 ZnS、CdSe等單晶。其缺點是生成速率慢,生長條件 難以控制。

結晶法結晶法的應用

結晶法用於分離海水中的氯化鈉。
工業上為了獲得某種溶質也採用結晶法提純。