納米導線

納米技術的研發已達到“熾熱”程度，研製納米導線是製造大多數納米器件和裝置的關鍵因素。

對半導體硅和化學敏感的氧化錫及像氮化鎵等發光半導體，都能製成納米導線。加州大學伯克利分校楊培東在改進納米導線特性方面獲得重大進展，被公認為納米導線的先驅。為了製成納米導線，楊培東他們採用能融化金薄膜或其他金屬的特殊小室，小室中金屬形成納米尺寸的微滴，在微滴上空噴發諸如硅烷等化學蒸汽，其分子會被分解。短時間內，這些分子在融化的微滴上達到超飽和，形成納米晶體。隨着更多的蒸汽分子在金屬微滴上被分解，晶體則長成樹狀。如果在幾百萬個金屬微滴上同時發生這一過程，科學家則能形成大量的納米線。楊培東等人已製成氮化鎵和氧化鋅納米線“森林”，這些納米線能發出紫外光，該特性對製造“單片實驗室”十分有用。“單片實驗室”可快速和低成本地分析醫學、環境和其他種樣品。難題是製成納米線和其他系統組件之間的電子連件。楊培東估計，全世界至少有100個研究小組正集中力量來解決上述問題。英特爾公司已同哈佛大學的利伯合作，納米線成為其計算機芯片開發長期規劃的一部分。

碳納米管的直徑僅數納米至數十納米，耐電流密度可達銅的100多倍，可以作為超級耐高電流密度的佈線材料，半導體型的碳納米管還可以用來構築納米場效應晶體管、單電子晶體管等納米器件，變頻器、邏輯電路以及環形振盪器等各種邏輯電路。

IBM的研究人員已經在單一“碳納米管”分子上構建了首個的完整電子集成電路，比當今的硅半導體技術具有更為強大的性能，具有里程碑式的重大意義。