等離子體增強化學氣相沉積

等離子體增強化學氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）技術是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離後在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料製備和其他材料薄膜的製備方法，其通過等離子體激活作用增強化學氣相反應物質活性，提高表面反應速率，並通過高能離子顯著降低了薄膜沉積温度。 ^[1]  在等離子體的作用下，氣體在腔室中被解離，形成包含氣體分子、高能離子、電子、活性自由基等粒子的強反應物質。在沉積表面上不僅存在着通常的熱化學反應，還存在着複雜的等離子體化學反應，沉積膜就是在這兩種化學反應的共同作用下生長成膜。激發輝光放電的方法主要有：射頻激發，直流高壓激發，脈衝激發和微波激發。

等離子體增強化學氣相沉積的主要優點是沉積温度低，對基體的結構和物理性質影響小；沉積速率快；膜的厚度及成分均勻性好；膜組織緻密、針孔少；膜層的附着力強；應用範圍廣，可製備各種金屬膜、無機膜和有機膜，在半導體制造、太陽能電池、塗層技術、顯示面板等領域都有着廣泛的應用。