突變pn結

突變pn結（abruptp-njunction）

用合金法制造的pn結，n型區中施主雜質濃度和p型區中受主雜質濃度都是均勻分佈的。在交界面處雜質濃度由nA（p型區）突變為nD（n型區），具有這種雜質分佈的pn結稱為突變結。實際的突變結，兩邊的雜質濃度差很多，通常稱這種結為單邊突邊結（記為p n，或n p）。

如果一邊的摻雜濃度遠大於另一邊（如：

），則p-n結勢壘區主要是在輕摻雜一邊，這種突變結即稱為單邊突變結（

）。例如BJT的發射結往往就可以當作為突變結。在耗盡層近似下，突變p-n結中的內建電場呈線性分佈（三角形），最大電場出現在界面（x=0）處，為：

= ( q

) /ε= ( q

) /ε；

內建電勢為:

= W / 2 ；

勢壘厚度為:

=

+

= { 2ε(

+

)

/ ( q

) }1/2 ，即耗盡層寬度(

)與勢壘高度( q

) 直接有關。

特別, 對單邊突變的p-n結，因為

≥

，則有：

≈ xn = [ 2ε

/ (q

) ]1/2 ，

= ( q

) /ε。