空氣隔離

在製作半導體集成電路中採用空氣隔離方法時，通常就是將電路各元器間原需製作隔離槽的那部分硅片全腐蝕掉，使這些元器件形成相互隔離的“小島”。 “小島”之間的互連和它們之間的機械支託則通過樑式引線來完成。

(1)用平面工藝製造所要求的電子元件、器件。

(2)形成玻璃層：用外延法、濺射法或塗復法等方法在硅片表面生成一厚度為20微米左右的均勻玻璃層。太薄或太厚對製造工藝都要帶來困難。

(3)在玻璃層上刻引線孔，按連線要求用通常的蒸發、反刻方法完成金屬佈線。

(4)在硅片背面進行隔離腐蝕，使備器件間以空氣實現隔離。腐蝕過程與介質隔離中的刻槽類似，但是光刻隔離圖形時要用紅外顯微鏡來對準。 ^[1] 

空氣隔離法的優點是：

1)使MOS電路的分佈電容比一般MOS電路小。

2)消除了在硅表面上易於產生的反型溝道，減少了源一漏之間的漏電流。

3)因在藍寶石上蒸發鋁膜相連，因而消除了因二氧化硅裂縫造成的鋁與硅基底的短路。

空氣是最理想的絕緣材料，因此，就隔離性能來説，空氣隔離法比其他任何隔離方法都更為優越。但是，由於這種方法的工藝比較複雜，所以目前還較少採用。 ^[2]