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空位團

在晶體學中, 一個晶格空位是晶體的點缺陷之一。當一個晶格格位上缺失了一個粒子（原子，離子甚至分子），這種缺陷既為晶格空位。空位聚集成為空位團，在金屬晶體中，也可能存在兩個、三個甚至多個相鄰的空位，分別稱為雙空位、三空位或空位團。但由多個空位組成的空位團從能量上講是不穩定的。

中文名稱: 空位團

英文名稱: vacancy cluster

定　　義: 單一的空位(肖特基缺陷)在一定能量條件下可聚集為空位對、三重空位或由更多空位組成的空位集團。

應用學科: 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），總論（三級學科）

以上內容由全國科學技術名詞審定委員會審定公佈

空位團簡介

對於尺寸比較小的空位，通常它們不需要很高的温度即可以發生遷移和擴散。在遷移的過程中，這些小的空位團會相互聚集，從而變成體積較大的空位團。這種空位團的聚集過程通常在輻照或離子注入的材料中觀察到。在較高劑量離子注入的材料中，由於級連效應產生大量的空位型觖陷，這些缺陷的重疊自然會產生較大的空位團。另一方面，在對離子注入後的材料進行退火時，由於空位的遷移也會發生聚集過程，因此可以觀察到缺陷尺寸的增大。

經400、600、800℃退火後，單空位、雙空位和位錯缺陷分別消失。小空位團是由四空位和五空位構成的空位團。低於200℃退火時,缺陷複合五空位團成分隨退火温度升高而增大;高於400℃時,空位團分裂。在金屬材料中，經過塑性形變後也會形成空位團。在形變的半導體中，也會產生大量的空位團。空位或者空位團(vacancy clusters)的大小、濃度都對金屬薄膜的變形有一定的影響。

空位團正電子捕獲率

根據理論計算，空位聚集成為空位團後，正電子的捕獲率會增大。對於少數空位（5個以下）組成的空位團，其捕獲係數與空位的數目i是成正比的：即μiv=iμv，其中μv為單空位的正電子捕獲係數。金屬Al中正電子捕獲係數隨空位團大小LXK2-PE12-Q00變化理論計算結果。對於小空位團，其捕獲係數在l0^14～l0^15S-l之間，與實驗估計的相符。並且這些小的空位團的捕獲係數是不隨温度變化的。如果空位團進一步聚集而增大，上式不再成立，正電子捕獲係數將在某一數值達到飽和。這是由於正電子的捕獲機制已由躍遷受限變成擴散受限。此時正電子的遷移率開始對捕獲率產生影響。此時捕獲係數隨着温度上升而變小。

除了捕獲率隨着空位團的尺寸改變之外，正電子的湮沒參數也隨之發生明顯變化。正電子壽命和多普勒展寬S參數都會隨着空位團增大而顯著增大。Al中正電子在空位處壽命隨空位團尺寸變化的理論計算結果。圖中圓圈的數據是利用加權密度近似計算的結果；方框數據是利用原子超疊加方法計算所得；實線為樣條函數插值擬合；虛線是利用局域密度近似的計算結果。在半導體Si，GaAs，SiC以及Zn0中，對正電子在空位團的壽命也作了計算，得到了與Al中相似的結果。隨着空位團尺寸的增加，正電子壽命最終會飽和在500ps左右。這被認為是正電子局域態湮沒壽命的極限值。高於此值則被認為是正電子與電子結合形成了電子偶素，從而具有更長的壽命。500ps即為ρ-Ps和ρ-Ps的壽命加權平均值。