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移動固態硬盤

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移動固態硬盤(Portable Solid State Drives,簡稱PSSD),其兼具固態硬盤(SSD)的超快讀寫速度,以及逼近U盤體型的便攜易用性支持SATA或NVMe協議,大部分PSSD都採用了TLC顆粒,結合各家算法優化 [1]  。達到更快、更穩定的讀寫速度 [3] 
中文名
移動固態硬盤
外文名
PortableSolid State Drives
英文縮寫
PSSD
性    質
非易失性移動存儲器
應用範圍
高性能計算、消費級存儲器

移動固態硬盤產品簡介

移動固態硬盤是用固態電子存儲芯片製成的移動硬盤,由主控制器、存儲單元(FLASH芯片/DRAM芯片)以及橋接芯片組成。也就是把原來裝在電腦裏的固態硬盤,做成了傳統移動硬盤的形式。對比傳統的機械移動硬盤來説,PSSD在產品外形尺寸上更加“輕巧”,具備SSD本身“防震”、“高速”、“低功耗”等特點。新一代的移動固態硬盤普遍採用Type-C接口。多家存儲廠商都推出了自己的PSSD,更有支持按鍵加密和指紋加密的移動固態硬盤推出。移動固態硬盤屬非易失性移動存儲器,應用於高性能計算、消費級存儲器。 [2] 
移動固態硬盤 移動固態硬盤

移動固態硬盤優缺點

PSSD就是Portable(可移動)SSD的意思,PSSD對比傳統移動硬盤的優點,其實也就是SSD對應傳統HDD的優勢的延伸。PSSD內部有主控制器和存儲顆粒,沒有傳統的磁盤、激光頭等機械結構。相比傳統移動機械硬盤,PSSD的優勢有:性能好,讀寫速度快(至少快5倍,最多快30多倍);防震抗摔;發熱低,零噪音;體積小,重量輕;功耗低,移動固態硬盤的功耗約是傳統機械移動硬盤功耗的五分之一,甚至更低 [3]  [2] 
優缺點對比 優缺點對比 [2]

移動固態硬盤基本結構

基於閃存的PSSD內主體是一塊PCB板,而這塊PCB板上最基本的配件就是控制芯片,緩存芯片(部分硬盤無緩存芯片)、用於存儲數據的閃存芯片,以及轉換接口的橋接芯片。PSSD內部使用SSD作為存儲介質,其內部SSD接口大致可分為mSATA接口、M.2接口。M.2接口(NVMe協議)在近年來逐漸崛起,它在傳輸速度上有着mSATA接口(SATA協議)不可企及的優勢。由於PSSD都需要使用轉接板或橋接芯片將SSD接口轉為USB接口,因此PSSD無法通過觀察接口判斷其內部使用了什麼接口。 [2] 
移動固態硬盤 移動固態硬盤

移動固態硬盤接口協議

PSSD分為SATA3.0 PSSD 和NVMe PSSD。SATA3.0 PSSD的讀寫速度可達500M/S,而NVMe PSSD的讀寫速度可輕鬆達到上1000MB/S,高端NVMe PSSD可達到2000MB/s以上。PSSD性能卓越,遠非U盤和移動HDD可比。為了發揮出PSSD的性能,大多PSSD採用了Type-A或者Type-C接口,支持USB3.2協議。
採用USB3.2 Gen1(理論傳輸速度為5Gbps)接口的PSSD,讀寫速度可達到400MB/s–500MB/s;採用USB3.2 Gen2(理論傳輸速度為10Gbps)接口的PSSD,讀寫速度可達1000MB/s;而採用USB3.2 Gen2x2(理論傳輸速度為20Gbps)接口的PSSD ,讀寫速度可達2000MB/s以上。
除了接口協議之外,PSSD的性能還跟內部SSD使用的協議有關。以aigo PSSD為例,其S7 Pro為SATA PSSD,使用USB3.2 Gen2 10Gbps傳輸帶寬,讀寫速度均可達到500MB/s;而另一款產品P1為NVMe PSSD, 同樣使用USB3.2 Gen2 10Gbps傳輸帶寬,讀寫速度可達到1000MB/s,足足快了一倍。雖然都是USB3.2 Gen2 10Gbps傳輸帶寬,但使用NVMe協議的PSSD性能要比SATA協議性能更強悍。在選購產品的時候需要特別注意。 [2] 
移動固態硬盤 移動固態硬盤
PSSD相比傳統移動機械硬盤讀寫速度更快。採用閃存作為存儲介質,固態硬盤不用磁頭,尋道時間幾乎為0。持續寫入的速度非常驚人,一般採用SATA或NVMe SSD通過橋接芯片轉換為Type-C接口。使用SATA協議的PSSD其讀寫速度可達500MB/s,使用NVMe協議的PSSD讀寫速度可達1000MB/s。移動固態硬盤的快絕不僅僅體現在持續讀寫上,隨機讀寫速度也十分的快,存取時間可以輕易達到0.1毫秒甚至更低。 [2] 
讀寫速度對比 讀寫速度對比

移動固態硬盤總結

除了性能好之外,PSSD和SSD一樣還具有低功耗、無噪音、抗震動、低熱量、體積小、工作温度範圍大的特點。移動固態硬盤沒有機械馬達和風扇,工作時噪音值為0分貝。內部不存在任何機械活動部件,不會發生機械故障,也不怕碰撞、衝擊、振動。普通的移動硬盤只能在5到55攝氏度範圍內工作,而移動固態硬盤可在-10~70攝氏度工作。 [2] 
參考資料