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磁泡存儲器
鎖定
磁泡存儲器（英語：
Bubble memory）是一種非易失性存儲器。它使用了一種較薄的
磁性材料製成的膠片來維持小型的磁化區域，這些區域被稱作是“磁泡”（bubbles）或者“磁域”（domains），每一個這種區域存儲一個
位元的數據。磁泡存儲器在1970年代出現，但是在1980年代硬盤價格急劇下降的情況下未能獲得商業上的成功。
- 中文名
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磁泡存儲器
- 外文名
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Bubble memory
- 類 別
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存儲器
磁泡存儲器非易失性存儲器
非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關掉後，所存儲的
數據不會消失者的
計算機存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內的數據是否能在使用計算機時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即
ROM和
Flash memory。
磁泡存儲器類型
非易失性存儲器主要有以下類型：
ROM（Read-only memory，只讀存儲器）
PROM（Programmable read-only memory，可編程只讀存儲器）
EAROM（Electrically alterable read only memory，電可改寫只讀存儲器）
EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可編程只讀存儲器）
EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，電可擦可編程只讀存儲器）
硬盤, 光盤與磁帶雖然也是非易失性存儲器, 但現行NVM一般特指非機械式之電子組件。
[1]
- 參考資料
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1.
James M. Conrad; Alexander G. Dean (September 2011). Embedded Systems, An Introduction Using the Renesas RX62N Microcontroller. Micrium. ISBN 978-1935-7729-96.