磁敏電阻器

磁敏電阻器的阻值隨磁場的變化而變化，利用磁敏電阻器阻值的變化，可精確地測試出磁場的相對位移。電阻值隨磁感應強度而變化的磁敏元件。它利用磁阻效應制成的，其阻值會隨穿過它的磁通量密度的變化而變化。利用此原理，可精確地測試出磁場的相對位移。

磁敏器結構：採用銻化銦（InSb）或神化銦（InAs）等材料，根據半導體的磁阻效應制成的。磁敏電阻器多采用片形膜式封裝結構，有兩端、三端（內部有兩隻串聯的磁敏電阻）之分。

磁敏電阻器的文字符號： 用“RM”或“ R”表示。 ^[1] 

1、磁阻效應原理；

2、磁檢測靈敏度高；

3、輸出信號幅值大；

4、抗電磁干擾能力強；

5、分辨力高。

磁敏電阻器是利用磁阻效應制成的，其阻值會隨穿過它的磁通量密度的變化而變化。 ^[2] 

半導體磁阻元件在弱磁場中的電阻率p與磁感應強度B之間有如下的關係：

當半導體材料確定時，磁敏電阻器的阻值與磁感應強度呈平方關係。上式僅適用於弱磁場，在強磁場下，磁敏電阻器的阻值與磁感應強度呈線性關係。

磁敏電阻器多采用銻化鋼(InSb)半導體材料製造。它主要用於測定磁場強度、測量頻率和功率等的測量技術，運算技術，自動控制技術以及信息處理技術，並可用於製作無觸點開關和可變元接觸電位器等。

1、磁阻比：指在某一規定的磁感應強度下，磁敏電阻器的阻值與零磁感應強度下的阻值之比。

2、磁阻係數：指在某一規定的磁感應強度下，磁敏電阻器的阻值與其標稱阻值之比。

3、磁阻靈敏度：指在某一規定的磁感應強度下，磁敏電阻器的電阻值隨磁感應強度的相對變化率。

一般用於磁場強度、漏磁、制磁的檢測；在交流變換器、頻率變換器、功率電壓變換器、位移電壓變換器、等電路中作控制元件；還可用於接近開關、磁卡文字識別、磁電編碼器、電動機測速等方面或製作磁敏傳感器用。