碳化硅高温氧化爐

Centrotherm Oxidator 150 經過專業團體的研發, 能夠滿足 SiC 圓片的高温氧化工藝; 同時亦可用於常規的硅圓片的氧化。

爐管和加熱器均處於真空密閉反應腔內; 上下料腔室可用Ar或 N2 進行吹掃。這樣的設計可以保證有毒氣體 [如 NO, N2O, H2, NO2 等] 安全使用。

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）氧化工藝使用 N2O 氣氛, 可以改善 SiO2/SiC 接觸表面以獲得更高的通道遷移率, 同時可提高SiC表面氧化物的穩定性和壽命。

高達 1350 ℃ 的温度和其他支持功能為研製SiC 氧化工藝和低界面陷阱密度, 高通道移動率的氧化層提供可能。

新式 centrotherm Oxidator 150 高效的反應腔，具有高性能, 佔地少和降低成本生產的特點; 提供最高的工藝靈活度, 同時能夠保證有毒氣體的安全使用。

真空密封反應腔

佔地面積小 [1.8m2]

批處理圓片尺寸2″, 3″, 4″, 6″

批處理數量 40 片硅片2″, 50片硅片6″

真空度小於10-3 mbar

可以並排安裝