碳化硅塗層

SiC具有優異的物理化學性能，如高熔點、高硬度、耐腐蝕、抗氧化等，特別是在1800-2000℃範圍，具有良好的抗燒蝕性能，因此，在航空航天、兵器裝備等領域具有廣闊的應用前景。但SiC本身不能作為結構材料使用，所以通常採用製備塗層的方法，以利用其耐磨性以及抗燒蝕性。

1、化學氣相沉積（CVD） ^[1] 

將需製備SiC塗層的試樣放入反應管中，以MTS為先驅體原料，在950-1300℃、負壓條件下沉積SiC塗層在試樣表面。

2、先驅體轉化法（PIP） ^[2] 

將試樣進行預處理後，放入浸漬罐中，對浸漬罐抽真空，再注入浸漬溶液，加壓浸漬，減壓取出試樣。在爐中進行裂解，爐冷至室温取出，即可在試樣表面實現SiC塗層。這裏的浸漬溶液是陶瓷先驅體為主要成分的溶液。