碳化硅器件高温活化爐

Activator 150用於SiC或GaN器件注入後退火，獨特工藝爐管和加熱系統設計允許工藝温度可達1950 ℃. Centrotherm最新研發SiC工藝爐管用以滿足新興的150毫米SiC襯底工藝。

Activator 150-5 是為研發工作而定製的；Activator 150-50 專為大批量生產而設計,為了縮短生產週期Activator 150-50採用機械手自動傳片系統。

Activator 150通過碳化硅昇華生長石墨層，可以獲得高性能器件，該工藝在圓片區域石墨的生成尺寸達到直徑150毫米。 ^[1] 

· 高活化效率 · 最小表面粗糙度

· 最大温度可達 1950 ℃

· 佔地少 [1.8 m2]

· 升温速率可達 100 K/min

· 批處理包括 2″，3″, 4", 6"

· 批處理數量達到 40 片硅片[2″], 50 片硅片 [6"]

· 真空度小於10-3 mbar [可選]

· 可並排安裝石墨烯生長

· 注入後高温退火

· [3C, 4H, 6H器件，傳感器]

· GaN 退火· 大面積石墨烯形成

· SiC 表面製備[例如碳化] ^[2]