碲化錫

分別稱取化學計量比的高純錫和碲，放入一潔淨的石英安瓿中，在高真空（約10-5Pa）下密封。將安瓿放在冷的熔爐中，慢慢升温（約50℃/h）達435℃，加熱72h。關閉熔爐，令安瓿緩慢冷卻，近10h冷至室温，得到高純SnTe。

分別稱取化學計量比的高純錫和碲，放入一潔淨的石英安瓿中，在高真空（約10-5Pa）下密封。將安瓿放在冷的熔爐中，快速升温（約200℃/h）達810℃，保温5h。開始降温，令安瓿緩慢冷卻（約50℃/h），近15h冷至室温，得到高純SnTe。

用1L的三頸圓底燒瓶為電解池，陰極是直徑5mm、長7cm、純度99.999%半導體材料級的單質碲，陽極是比陰極大的圓柱形高純錫，電極各插入燒瓶的一個瓶口，金屬和玻璃之間要用膠密封。中間的瓶口用於加料並連接機械真空泵為排氣抽真空用。瓶內放置有聚四氟乙烯包裹的磁力攪拌子在電解過程中攪拌。電解液為pH值4.5的NH4Ac -HAc緩衝溶液（用500mL 1mol/L氨水加入足量的醋酸中至pH值為4.5制配）。裝好電極和電解液的燒瓶要抽真空，磁力攪拌30min除氣，確定高真空後，開始電解。電解時陽極產生Sn2+，陰極對等形成Te2-，溶液中生成SnTe沉澱。電解液中也可加入含金屬離子的可溶鹽，則以鉑為陽極，金屬鹽溶液（如氯化亞錫）由滴液漏斗滴入，實驗在101.325kPa純氬氣中進行。為促使沉澱凝結，將在電解液中的沉澱在氬氣氛中煮沸16h。為防止氧化在此之前不要讓結晶暴露在空氣中，用傾瀉法洗滌結晶，離心分離，120℃氬氣流中乾燥4h。