碰撞離化

碰撞離化所需的電場強度取決於半導體材料的帶隙寬度，載流子在強電場區內的一連串碰撞離化過程造成載流子的雪崩倍增，在外電路中表現為電流的雪崩倍增。半導體中載流子碰撞離化理論分析的一個重要方面是通過離化闕值能量、聲子散射率等物理量，闡明能帶結合、載流子分佈函數等對離化係數的影響。碰撞離化分析的另一個重要方面是，將碰撞離化係數與載流子倍增聯繫起來，從而與器件應用合離化係數的測量技術相結合，可在實驗上由光電流雪崩增益隨偏壓和注入條件的變化的測量推導出載流子的離化係數。載流子碰撞離化效應應用於實際器件的一個重要例子是半導體雪崩光電二極管。