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砷化鎵激光器
鎖定
砷化鎵激光器具有近紅外高重複頻率和峯值功率較高的特點。和所有半導體激光器一樣還具有體積小，耗能少和壽命長的優點 。
- 中文名
- 砷化鎵激光器
- 類 型
- 半導體激光器
- 類 別
- 激光器
- 用 途
- 光信息傳輸和信息處理
砷化鎵激光器產品特點
它具有近紅外高重複頻率和峯值功率較高的特點。和所有半導體激光器一樣還具有體積小，耗能少和壽命長的優點 。可用於光信息傳輸和信息處理，以及激光測距等
砷化鎵激光器工作原理
用半導體材料作為激光工作物質的激光器稱為半導體激光器，P－N結電注入型半導體激光器又稱為激光二級管(Diode),或LD。半導體材料可以是兩元、三元或多元化合物，其結構可以是同質結或單異質結(SHL),雙異質結(DHL)等，還可以將單管LD組成陣列式(array)或層疊式(stack)以增大輸出。激勵方式除P－N結電注入外，還有電子束激勵，光激勵和雪崩擊穿等方式。通常僅指明工作物質的元素，來區分不同的半導體激光器
砷化鎵激光器相關標準
GB/T15167-1994 半導體激光光源總規範
SJ/T2749-1987 半導體激光二極管測試方法
