盛況

1995年獲浙江大學電力電子技術學士。

1999年獲英國赫瑞瓦特大學電子及計算機工程博士。

1999-2002年任英國劍橋大學博士後。

2008年獲美國Rugters大學終身教職。

2009年任浙江大學電氣工程學院教授、博導。

2017年任浙江大學電氣工程學院院長。

新型功率半導體器件國家重點實驗室學術委員會委員

寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室學術委員會委員

科技部新型顯示與戰略性電子材料國家重點研發計劃專項指南起草專家組專家

International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 諮詢委員會委員

IEEE Transactions on Industrial Applications 編委

IEEE Transactions on Power Electronics 編委 ^[1] 

浙江省第十四屆人大代表 ^[3]  ，浙江省第十四屆人大常委會委員 ^[5]  ，浙江省第十四屆人大財政經濟委員會委員 ^[4]  ，浙江省第十四人大常委會預算工作委員會委員 ^[6] 

長期從事硅基和寬禁帶電力電子芯片、封裝及應用研究，包括芯片設計與工藝、器件封裝與測試以及在智能電網、軌道交通、新能源汽車、工業電機、各類電源等領域中的應用。 ^[1] 

1. “碳化硅高深寬比溝槽型超級結器件基礎技術研究”，國家基金委，2018-2021

2. “中低壓SiC材料、器件及其再電動汽車充電設備中的應用示範”, 國家科技部, 2016- 2021

3. “突破一維電阻極限的碳化硅單極型高壓器件基礎研究”，國家基金委，2018-2021

4. “功率半導體器件及其在汽車系統中的應用”, 美國福特, 2014-2020

5. “碳化硅MOSFET器件項目”，德國英飛凌，2018-2020

6. “碳化硅電力電子器件基礎研究”, 國家基金委, 2013至 2016

7. “高壓大容量碳化硅功率器件的研發”, 國家科技部, 2011- 2014

8. “高速機車高壓IGBT基礎技術的研究”，國家科技重大專項，2011-2013 ^[1] 

2009年回國創建浙江大學電力電子器件實驗室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是國內較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發的團隊。

團隊承擔了電力電子器件及應用領域的多個國家級、省部級和橫向合作項目，包括國家重大科技專項、國家863主題項目及課題、國家重點研發計劃項目及課題、自然科學基金委傑出青年基金、自然科學基金委重點項目等十餘項，在器件理論、芯片研製、器件封測和應用方面取得了一些成果，包括最早報道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在國內較早自主研製出了系列SiC芯片和模塊（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出溝槽型超級結SiC肖特基二極管設計方法並報道了1300V（不包括襯底0.36 mΩ•cm²，品質因子FOM達國際前列）SiC超級結二極管、提出新型垂直型氮化鎵晶體管結構並報道了FOM處國際前列的芯片、基於新型單驅動方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-並聯模塊、首款10kVA基於全碳化硅器件的高壓電力電子變壓器、合作開發了高壓大容量硅基IGBT芯片等。團隊也和國內外著名企業開展合作推進成果的產業化，合作企業包括國家電網、中車、中電集團、華為、華潤微電子、台達、德國英飛凌、美國福特等公司，實現了碳化硅和硅基電力電子芯片的產業化。

相關的成果在國際頂級學術期刊及會議發表論文280餘篇，獲授權專利40餘項。 ^[1] 

2009年，獲國家教育部長江學者

2012年，獲國家傑出青年科學基金資助

2013年，獲中組部“萬人計劃”科技創新領軍人才

2014年，獲中國僑界貢獻獎（創新人才）

2010年，浙江省自然科學學術獎二等獎

2019年，國家技術發明獎二等獎 ^[1]