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異質外延

鎖定
異質外延是一個物理學名詞。外延生長薄膜材料和襯底材料不同,或者説生長化學組分、甚至是物理結構和襯底完全不同的外延層,相應的工藝就叫做異質外延;這類工藝複雜、成本較低。
中文名
異質外延法
外文名
heteroepitaxy
這種方法在晶體生長中應用的比較多,能夠改善晶體的生長,可以用來形成自然界中沒有的人工結構材料。
在半導體應用中,異質外延材料的選擇是根據其能帶間隙和晶格匹配來決定的。對於光學應用,還需要考慮光子躍遷方式。