-
現代半導體器件物理
鎖定
- 書 名
- 現代半導體器件物理
- 作 者
- [美]施敏(S.M.Sze)
- 譯 者
- 劉曉彥
- 出版社
- 科學出版社
現代半導體器件物理內容簡介
本書是1981年版《半導體器件物理》的續編。書中詳細介紹了近20年來經典半導體器件的新增功能及新型半導體器件的物理機制。全書共八章，內容涉及先進的雙極晶體管和異質結器件，金屬-半導體接觸及各種場效應晶體管，功率器件、量子器件、熱電子器件、微波器件、高速光子器件，以及太陽能電池等。各章末除附有習題外還給出了儘可能多的參考文獻。書後附錄提供了符號表、國際單位制基本單位、物理常數、晶格常數最新值。
[1]
現代半導體器件物理圖書目錄
- 中文版序
- 中譯本序
- 序
- 執筆者簡介
- 目錄
- 引言
- 1 雙極晶體管
- 2 化合物半導體場效應晶體管
- 3 MOSFET及其相關器件
- 4 功率器件
- 5 量子效應和熱電子器件
- 6 有源微波二極管
- 7 高速光子器件
- 8 太陽電池
- 附錄A 符號表
- 附錄B 國際單位制（SI單位）
- 附錄C 單位詞頭
- 附錄D 希臘字母
- 附錄E 物理常數
- 附錄F 300K的晶格常數
- 附錄G 重要的元素和二元半導體性質
- 附錄H Si和GaAs在300K的性質
- 附錄I Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半導體的性質
- 附錄J SiO<sub>2</sub>和Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>在300K的性質
