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王霆

(中國科學院物理研究所副研究員)

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男,中國科學院物理研究所副研究員,入選中科院"百人計劃”, [1]  現為納米器件與物理9組(N09)的職工,主要從事半導體量子材料的生長、物性和器件研究。 [2-7] 
中文名
王霆
國    籍
中國
民    族
出生日期
1985年 [8] 
畢業院校
倫敦學院大學(University College London)
職    稱
副研究員

王霆主要研究方向:

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主要研究領域為硅基光電納米材料的生長製備、光電現象和器件,比如,硅基光pump激光器,電pump激光器,MicroCavity Laser ,Disk Laser以及相關無源器件等。 [2]  [4-7] 

王霆主要學術貢獻:

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1. 實現了世界首例高性能鍺基以及硅基低閾值電流密度1.3微米InAs/GaAs量子點激光器的室温連續激射, [4-7] 
2. 解決了多年硅基光電子集成無相應光源的重大科學問題。 [2]  [4]  [9] 

王霆教育經歷:

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2008/10-2012/05, 倫敦學院大學(University College London), 博士PhD,導師:Prof. Alwyn Seeds
2007/09-2008/09,謝菲爾德大學(University of Sheffield), 碩士 Msc, 導師:Prof. Maurice Skolnick
2004/10-2007/06, 南安普頓大學(University of Southampton), 學士 BEng, 導師:Prof. Greg Parker [2] 

王霆研究經歷:

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2014/09-, 中國科學院物理研究所,副研究員 [1]    [10] 
2012/10-2014/08,新加坡麻省理工國際設計中心(MIT International Design Center), 博士後,
合作導師:Prof. Dawn Tan [11] 

王霆所在課題組的研究課題及培養情況:

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王霆副研究員和張建軍研究員為同一個課題組(N09組), [8]  組內主要研究方向和展望為:
(1)硅基半導體量子芯片材料,包括可控生長低維鍺納米結構和硅鍺異質結構等; [12-13] 
(2)硅基光電子材料的生長和器件,包括全IV族高效發光材料的生長探索及IV族硅鍺和III-V族材料界面可控的混合生長和光電子器件研究; [12-13] 
(3)低維量子材料如Ge/Si, InAs/GaAs量子線的可控生長及界面調控的異質結構生長與物性研究。基礎研究上期待在常規半導體中發現新的物理現象,應用研究上期待實現硅基高效激光光源和相應器件集成。 [2]  [12-13] 
培養情況為:
現有學生10名左右,課題組氛圍民主和諧融洽,以學生為本的原則培養學生。每年招收碩博生或博士生2-3名,常年招收動手能力強,踏實肯幹,有相關背景(物理,材料,電子工程)的碩士博士生和博士後。 [2] 
參考資料
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