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王霆
(中國科學院物理研究所副研究員)
鎖定
王霆研究方向
主要研究領域為硅基光電納米材料的生長製備、光電現象和器件,比如,硅基光pump激光器,電pump激光器,MicroCavity Laser ,Disk Laser以及相關無源器件等。
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王霆學術貢獻
1. 實現了世界首例高性能鍺基以及硅基低閾值電流密度1.3微米InAs/GaAs量子點激光器的室温連續激射,
[4-7]
王霆教育經歷
2008/10-2012/05, 倫敦學院大學(University College London), 博士PhD,導師:Prof. Alwyn Seeds
2007/09-2008/09,謝菲爾德大學(University of Sheffield), 碩士 Msc, 導師:Prof. Maurice Skolnick
王霆研究經歷
2012/10-2014/08,新加坡麻省理工國際設計中心(MIT International Design Center), 博士後,
王霆參與課題
王霆副研究員和張建軍研究員為同一個課題組(N09組),
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組內主要研究方向和展望為:
(2)硅基光電子材料的生長和器件,包括全IV族高效發光材料的生長探索及IV族硅鍺和III-V族材料界面可控的混合生長和光電子器件研究;
[12-13]
(3)低維量子材料如Ge/Si, InAs/GaAs量子線的可控生長及界面調控的異質結構生長與物性研究。基礎研究上期待在常規半導體中發現新的物理現象,應用研究上期待實現硅基高效激光光源和相應器件集成。
[2]
[12-13]
培養情況為:
- 參考資料
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- 1. 納米物理與器件實驗室系列學術報告(84)邀請人王霆副研究員 .中國科學院物理所官網[引用日期2018-04-18]
- 2. N09組(半導體量子與器件)人員介紹 .物理所N09組(半導體量子與器件)[引用日期2018-04-17]
- 3. C/L-band emission of InAs QDs monolithically grown on Ge substrate .Optical Materials Express publishing[引用日期2018-04-18]
- 4. Temperature-Dependent Photoluminescence Characteristics of InAs/GaAs Quantum Dots Directly Grown on Si Substrates . Chinese Phys. Lett[引用日期2018-04-18]
- 5. 1.3-μm InAs/GaAs quantum-dot lasers monolithically grown on Si substrates .Optics Express publication[引用日期2018-04-18]
- 6. Long-wavelength InAs/GaAs quantum-dot laser diode monolithically grown on Ge substrate .Nature Photonics[引用日期2018-04-18]
- 7. The effect of growth temperature of GaAs nucleation layer on InAs/GaAs quantum dots monolithically grown on Ge substrates .Applied Physics Letters[引用日期2018-04-18]
- 8. 組內職工 .中科院物理所n9組官網[引用日期2018-04-18]
- 9. N09組(半導體量子與器件)發表的論文 .物理所納米9組官網[引用日期2018-04-18]
- 10. 物理研究所方少波等7位青年科研人員當選2018年度中國科學院青年創新促進會會員---我所方少波、葛琛、陸俊、王鉑森、王霆、楊傑、楊蓉共7位青年科研人員位列其中 .中國科學院物理研究所官網[引用日期2018-04-18]
- 11. N09組(半導體量子與器件) .物理所N09組(半導體量子與器件)[引用日期2018-04-18]
- 12. 研究方向 .中科院物理所官網-N09組[引用日期2018-04-18]
- 13. 百人計劃 .中科院物理所官網[引用日期2018-04-18]
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