王建峯

王建峯博士 副研究員，生於1979年10月，2001年保送到武漢大學物理系攻讀博士學位，2002年到中科院半導體研究所聯合培養，從事“Si基GaN材料生長及應力研究”。

2006年畢業，獲理學博士學位。在博士學位攻讀期間，獨立研製了原位應力測試系統，系統的研究了GaN材料在生長過程中的應力演變過程，在Appl. Phys. Lett.等雜誌上發表論文數篇。2006年10月加入蘇州納米技術與納米仿生研究所，2008年5月被聘為副研究員，主要從事氮化鎵晶片的研究及產業化開發工作。