熱電子效應

高能量的熱電子將嚴重影響MOS器件和電路的可靠性。

熱電子效應主要表現在以下三個方面：

（1）、熱電子向柵氧化層中發射

（2）、熱電子效應引起襯底電流

（3）、熱電子效應引起柵電流

以加強型NMOS為例，當發生熱電子效應時，處於價帶的平衡態電子有機會因被熱電子撞擊而躍遷至導帶，而成為新的熱電子，產生許多電子-空穴對，使載子數量上升，造成載子倍增現象。這些因載子倍增所產生的電子，部分因電場作用向漏極運動，增加漏極電流；部分高能量電子則能夠射入柵氧化層，引起柵電流；而產生的空穴則部分向襯底運動，引起襯底電流，另一部分被源極所收集，使源極與井的耗盡層加寬，進一步縮短溝道長度，熱電子數量增加，促使更多的載子倍增，甚至發生電擊穿。 ^[1]