無定形硅

單晶硅（或晶體硅）的正四面體晶格結構可以延展得非常龐大，從而形成穩定的晶格結構。而無定形硅不存在這種延展開的晶格結構，原子間的晶格網絡呈無序排列。換言之，並非所有的原子都與其它原子嚴格地按照正四面體排列。由於這種不穩定性，無定形硅中的部分原子含有懸空鍵(dangling bond)。這些懸空鍵對硅作為導體的性質有很大的負面影響。然而，這些懸空鍵可以被氫所填充，經氫化之後，無定形硅的懸空鍵密度會顯著減小，並足以達到半導體材料的標準。但很不如願的一點是，在光的照射下，氫化無定形硅的導電性能將會顯著衰退，這種特性被稱為SW效應(Staebler-Wronski Effect).

美國科學家Stanford R. Ovshinsky擁有許多關於無定形硅的專利，包括半導體、太陽能電池等。它們的成本較相應的晶體硅製成品要低很多。

此外，無定形硅可用作自計温度計照相機(Thermal Camera)中的微輻射探測儀(microbolometer)。