濺射鍍膜技術

射頻濺射是採用頻率為13.56MHZ的高頻交變電場使氣體放電產生等離子體。對於絕緣靶材射頻濺射最具優勢。1966 年美國BM 公司採用射頻濺射在Si 襯底上鍍制SiO2 膜。

極濺射是利用熱絲弧光放電增強輝光放電產生等離子體，但三極濺射難以實現大面積均勻鍍膜，工業上未獲得廣泛應用。

提高濺射鍍膜的速率，關鍵是提高靶材的濺射率，這就必須提高等離子體的電離度，即在相同的放電功率下，獲得更多的離子，從離子轟擊靶面的濺射產物看，除了擊出原子或分子外，還擊出二次電子，這些電子被電場加速後與氣體原子或分子發生碰撞又引起氣體電離。充分利用二次電子的能量是提高等離子體電離度的有效途徑。

磁控濺射是在陰極靶面建立跑道磁場，利用其控制二次電子運動，延長其在靶面附近的停留，增加與氣體的碰撞幾率，從而提高等離子體密度。這樣可以大大提高靶材的濺射速率，最終提高沉積速率。

磁控濺射相對其他濺射技術有較高的鍍膜速率，一般二極濺射和射頻濺射的鍍膜速率為20~ 250nm/min，三極濺射為50~ 500nm/min ^[2]  ,磁控濺射可高達200~2000nm/min。 ^[2]  20世紀70年代磁控濺射鍍膜已實現工業化。80 年代我國的磁控濺射技術有較大發展，90 年代已可以提供大型磁控濺射裝置並規模生產鍍膜製品。

當今，磁控濺射已成為鍍膜主流技術之一。人們仍一直致力於提高磁控濺射技術的效率，開拓它的應用範圍。