注入式激光器

又稱p-n junction laser，半導體結型二極管激光器。是較成熟、較常用的一類半導體激光器，於1962年首次研製成功。

它的主體是一個正向偏置的p-n結，當電流密度超過閾值時，注入載流子（電子和空穴）在p-n結結區通過受激輻射覆合，產生激光。其工作特性和輸出特性受温度影響極大，故備有冷卻系統。最早的同質結型砷化鎵（GaAs）半導體激光器，在一塊經過加工的砷化鎵單晶體的上、下兩面上（p型與n型砷化鎵）分別焊上電極，組成諧振腔的兩端面要平行，並經過研磨拋光，甚至塗膜，以增加反射，也可以直接利用平行的平坦晶面（自然解理面）組成諧振腔。砷化鎵的折射率約為3.6，在半導體與空氣的分界面上反射率高於30%，因此，它可提供光反饋作用，使激光振盪能夠產生，激光波長約為9040Å。

1969年以後研製成功的砷化鎵單異質結和雙異質結型激光器，使閾值電流密度（一般約為10^4 A / cm^2）降低到每平方釐米數百安培，並實現了在室温下激光器的連續運轉。

半導體激光器件可用在雷達、計算機及通信系統中，或用作視頻唱片和聲頻唱片的光源，它在超高分辨率光譜學、集成光學以及軍事等方面有着廣泛的應用。