水峯

光纖的損耗因素主要有吸收損耗、瑞利散射損耗和其他損耗。這些損耗又可以歸納為本徵損耗、製造損耗和附加損耗等。

光纖製造損耗是在製造光纖的工藝過程中產生的，主要由光纖中不純成分的吸收(雜質吸收)和光纖的結構缺陷引起。雜質吸收中影響較大的是各種過渡金屬離子和OH-離子導致的光的損耗。其中OH-離子的影響比較大，它的吸收峯分別位於950nm，1240mm和1390nm，對光纖通信系統影響較大。

隨着光纖製造工藝的日趨完善，過渡金屬的影響已不顯著，最好的工藝已可以使OH-離子在1390nm處的損耗降低到0.04dB/km，甚至小到可忽略不計的程度。