-
氮化硅結合碳化硅磚
鎖定
- 中文名
- 氮化硅結合碳化硅磚
- 外文名
- silicon nitride bonded silicon carbide brick
- 學 科
- 冶金工程
- 領 域
- 能源
- 範 圍
- 耐火材料
- 始 於
- 20世紀60年代後期
氮化硅結合碳化硅磚簡介
氮化硅結合碳化硅磚(silicon nitride bonded silicon carbide brick )是指用SiC和Si為原料,經氮化燒成的耐火製品。該製品在20世紀60年代後期首次出現,其特點是以Si3N4為結合劑。Si3N4以針狀或纖維狀結晶存在於SiC晶粒之間,是一種重要的新型耐火材料
[1]
。
氮化硅結合碳化硅磚性能
氮化硅結合碳化硅磚製造工藝
以含SiC>97%的粗、中、細顆粒SiC和含Si大於98%,粒度為80%小於10μm,最大不大於20μm的工業硅粉為原料,粗、中、細顆粒配比5:1:4。氮化硅結合碳化硅磚的工藝流程見圖1。
工藝特點是利用反應燒結原理,以氮化反應使含硅粉的SiC坯體燒結,燒成過程在通入氮氣、容易控制的密閉爐內完成。爐內温度、壓力、氣氛均要嚴格控制,方能製出有好的顯微結構和性能的製品。為此,要控制以下主要工藝參數:氮化氣體壓力0.02~0.04MPa,爐內氣氛含O2量小於0.01%,最終氮化温度1350~1450℃,氮化總時間隨製品形狀、尺寸不同而異
[2]
。