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正弗蘭克不全位錯

鎖定
正弗蘭克不全位錯是指與插入型層錯相聯繫的位錯。弗蘭克不全位錯的伯格斯矢量與位錯線垂直,因而總是刃型的,它們不能滑移,因為如果滑移就要離開所在的{111}面,但它可以通過吸收或放出點缺陷,在包含它們的{111}面中作攀移運動 [1] 
中文名
正弗蘭克不全位錯
外文名
Frank partial dislocation
學    科
材料工程
領    域
工程技術

正弗蘭克不全位錯定義

正弗蘭克不全位錯是指與插入型層錯相聯繫的位錯。

正弗蘭克不全位錯簡介

在面心立方晶體中,伯格斯矢量為1/3<111>的純刃型不全位錯。如果層錯不貫穿整個晶體,而是中止在晶體內部,這個層錯邊界線為具有1/3<111>型伯格斯矢量的位錯 [2] 

正弗蘭克不全位錯形式

在簡單立方結構中的位錯,其 b 總是等於點陣矢量。實際晶體中根據柏氏矢量的不同,可把位錯分為以下幾種形式:
(1) b 等於單位點陣矢量的稱為“單位位錯”。
(2) b等於單位點陣矢量的整數倍的為“全位錯”。
(3) b 不等於單位點陣矢量或其整數倍的為“不全位錯”或稱“部分位錯” [3] 

正弗蘭克不全位錯負弗蘭克不全位錯

負弗蘭克不全位錯是指與抽出型層錯相聯繫的不全位錯。

正弗蘭克不全位錯特點

弗蘭克不全位錯的伯格斯矢量與位錯線垂直,因而總是刃型的,它們不能滑移,因為如果滑移就要離開所在的{111}面,但它可以通過吸收或放出點缺陷,在包含它們的{111}面中作攀移運動 [1] 
參考資料
  • 1.    劉健. 鋯中螺形位錯與空位盤的相互作用模擬[D]. 哈爾濱工業大學 2009.
  • 2.    鄒子英, 閔靖. Φ4-6英寸集成電路生產線上工藝硅片的缺陷研究[J]. 上海計量測試, 1999(4):37-38.
  • 3.    馮曉勇. 高速重擊條件下高錳鋼表面納米晶的製備及組織性能研究[D]. 燕山大學, 2015.