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次級電子發射
鎖定
次級電子發射,通常指由於初級電子撞擊固體,導致固體內發射電子的過程。
- 中文名
- 次級電子發射
- 簡 介
- 高速運動的電子撞擊固體
- 性 質
- 各向異性
- 絕緣體
- 逃逸深度和δ都比金屬大
次級電子發射簡介
以高速運動的電子撞擊固體,從而再釋放出電子的過程。用於光電倍增管的倍增極,進行二次電子放大作用。經7~13個倍增極,光電流可放大到106倍。
次級電子發射用途
次級電子發射詳細介紹
次級電子產額 δ定義為對應於每個初級電子所發射出的次級電子數目,δ的數值與初級電子的能量有關。由固體發射的次級電子依賴於體內和表面的電子結構、入射束的能量及角度以及表面形貌。次級電子發射可認為有三個基本步驟:固體內的電子被激發到高能態;然後在表面附近運動;最後克服表面勢壘逃逸到真空。可將電子在表面附近的傳播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般與入射束的能量關係較小,而與樣品種類關係很大。例如對金屬,電子間相互作用強,在傳播過程中能量損失大,逃逸深度小於10nm,電子產額極值δm也較小。對於絕緣體,電子逃逸表面時只有用於激發聲子的能量損失。逃逸深度和δ都比金屬大。
次級電子的動能大多數小於50eV,遠離次級電子能譜主峯,位於1~6eV的峯稱做慢峯。俄歇電子也是次級電子,是強度很低的次級電子,用作表面化學分析。
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