欠電位沉積

迄今為止，已報道了大量UPD實驗現象。認為當沉積原子M與局外基體原子S的作用能ψM-S大於沉積原子之間的作用能ψM-M時，將出現UPD現象。

正是由於單層原子與基底之間很強的相互作用力導致了欠電位區單層沉積層的形成，這一點可以描述為亞單層沉積層的活度小於1；另外，金屬單層均勻的分佈在基底上，並不生長在基底的活性位上，而且結構與基底密切相關。他們認為，作為電鍍的初始步驟，單層沉積對膜的進一步生長起着十分重要的作用，不但第一層的沉積和溶出行為受到基底的影響，而且這一影響能發展至多層。

研究表明，只有當功函較小的金屬向功函較大的金屬沉積時，才有可能發生欠電位沉積。例如，由於Cu的功函比Au的功函小，所以Cu能夠在Au電極表面形成欠電位沉積單層，而Au在Cu電極上沉積過程中，則不會發生欠電位沉積。人們認為之所以形成欠電位沉積單層，是由於沉積金屬原子與基底金屬原子之間的相互作用大於沉積金屬原子之間的相互作用。