極限參數

晶體管集電極功率損耗Pc=Ic·Uce，在三個電極中最大。為防止集電結髮熱導致温度過高，Pc有一個最大允許值Pcm，在三極管輸出特性曲線圖中可確定一條類反比例函數曲線。當Pc大於Pcm時，晶體管進入過損耗區。

在集電極電流Ic相當大的範圍內，共射集-基電流比β取值基本不變。但是，當Ic超過極限值Icm（即集電極最大允許電流）時，β就明顯下降。根據Icm可畫出晶體管安全工作區的上邊界，即Ic=Icm的水平線，超過該上邊界則進入過流區。

晶體管包含兩個PN結。如果加到PN結上的反向偏置電壓過高，PN結就會反向擊穿。為使晶體管安全工作，Uce不能超過U(br)ceo，Uce=U(br)ceo確定的垂直線是晶體管安全工作區的右邊界，超過這一邊界則進入過壓區（擊穿區）。

最大漏極電流是指場效應管在工作時允許通過漏極的最大電流。

最大漏源電壓指漏極附近發生雪崩擊穿時的漏源電壓。

對於JFET，U(GS(BR))指柵極與溝道間PN結的反向擊穿電壓。對於MOSFET，U(GS(BR))指使絕緣層擊穿的電壓。

定義耗散功率P(D)=U(DS)·I(D)，則P(DM)表徵FET受最高工作温度和散熱條件限制的情況。