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楊菲

(安徽大學副教授)

鎖定
楊菲,女,1987年6月出生,副教授,碩士生導師,2007年7月畢業於合肥工業大學電子科學與技術專業,獲工學學士學位,2013年6月畢業於南京大學微電子學與固體電子學專業,獲工學博士學位。 [1] 
中文名
楊菲
出生日期
1987年6月 [1] 
畢業院校
南京大學 [1] 
職    業
教師
職    稱
副教授、碩導 [1] 
學位/學歷
工學博士 [1] 
工作單位
安徽大學 [1] 
研究方向
相變存儲器的性能優化與應用研究;新型低維半導體材料與器件的設計、改性及應用 [1] 

楊菲研究方向

相變存儲器的性能優化與應用研究; [1] 
新型低維半導體材料與器件的設計、改性及應用。 [1] 

楊菲教學情況

承擔課程:《固體物理》、《半導體實驗》及《納米材料與器件》等 [1] 

楊菲科研項目

1、主持國家自然科學基金青年科學基金項目:基於非線性選通器的相變存儲研究; [1] 
2、主持安徽省自然科學基金青年科學基金項目:硫系化合物材料多級存儲的第一性原理研究; [1] 
3、主持安徽省高等學校自然科學研究項目:二維過渡金屬硫族化合物及其異質結構的第一性原理研究; [1] 
4、主持安徽省高等學校自然科學研究項目:硫系相變材料的輸運性質及存儲機理研究; [1] 
5、參加國家自然科學基金面上項目,用於1S1R交叉陣列的選通器性能及模型研究; [1] 
6、參加國家自然科學基金面上項目,基於第一性原理的阻變存儲器存儲機理和優化方案的研究。 [1] 

楊菲發表論文

[1] First principles study on modulating electronic and optical properties with h-BN intercalation in AlN/MoS2 heterostructure[J].Nanotechnology, 2022, 33:035708. [1] 
[2] Modulated electronic and optical properties of bilayer/trilayer Blue Phosphorene/MoX2(X=S, Se) van der Waals heterostructures[J]. Surfaces and Interfaces, 2021,25:101228. [1] 
[3] Optical and tuning electronic properties of GeC/MoS2 van der Waals heterostructures by electric field and strain: A first-principles study[J]. Superlattices and Microstructures, 2021,156:106935. [1] 
[4] Ab initio study on the fast reversible phase transitions of Ge2Sb2Te5[J]. Journal of Applied Physics, 2021,130: 025106. [1] 
[5] Substitutional doping at S site of MoS2/G heterostructure: The influence on voltage-current and electronic characteristics[J]. Superlattices and Microstructures, 2021,156:106978. [1] 
[6] Adjustable electronic and optical properties of BlueP/MoS2 van der Waals heterostructure by external strain: A First-principles study[J]. Nanotechnology, 2020, 31:375706. [1] 
[7] First-principles study of structural and optical properties contrast for liquid (GeTe)x(x=1,2,3)-Sb2Te3 compounds[J]. Journal of Non-Crystalline Solids, 2020, 539: 120051. [1] 
[8] Effect of Si doping on the structure and optical properties of Ge2Sb2Te5 studied by ab initio calculations[J].Computational Materials Science, 2019, 168: 253-259. [1] 
參考資料