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梁孟松

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梁孟松,1952年出生,男,漢族,畢業於加州大學伯克利分校 [1]  ,師從胡正明教授 [16]  。中國台灣電子工程學家、電機電子工程師學會院士,被稱為“台灣芯片魔術師” [15] 
1992年擔任台積電工程師、資深研發處長,是台積電近500個專利的發明人 [13]  。現任中芯國際(全稱中芯國際集成電路製造有限公司)聯合首席執行官 [2]  [10-11] 
梁孟松早年曾在美國AMD公司任職。1992年,時年40歲的他離開美國,回到中國台灣,入職台積電擔任工程師和資深研發處長。並在2003年,與IBM130nm銅製程之戰中一舉成名 [12] 
2006年,梁孟松因在台積電受到冷遇,晉升無望,導致他離職,並帶走了一批研發人員投奔三星,出任三星芯片部門首席技術官。在梁孟松團隊的幫助下,三星在半導體領域迅速崛起,其14納米制程量產比台積電早了約半年,並從台積電手中連續搶走了蘋果、高通的大單,台積電因此損失慘重。台積電與梁孟松打了一場歷時4年之久的官司,最終梁孟松敗訴,被規定直到“競業禁止期限”結束後才能返回三星 [13] 
2017年10月,梁孟松在中芯國際的邀請下,出任中芯國際聯席CEO。在短短300天內就攻克了14納米工藝技術的難關,將中芯國際的工藝良品率提升到95% [13] 
2020年12月16日,中芯國際發佈公告稱,已知悉梁孟松博士有條件辭任的意願,中芯國際正積極與梁博士核實其真實性辭任之意願 [17] 
中文名
梁孟松
別    名
台灣芯片魔術師
國    籍
中國
民    族
漢族
出生日期
1952年
畢業院校
加州大學伯克利分校
職    務
中芯國際聯合首席執行官
就職企業
中芯國際集成電路製造有限公司
主要成就
在300天內幫助中芯國際攻克14納米工藝技術,將中芯國際的工藝良品率提升到95%

梁孟松人物經歷

梁孟松早年經歷

梁孟松出生於1952年,先是在國立成功大學電機工程學系取得學士與碩士學位,後於加州大學柏克萊分校師從胡正明教授。梁孟松的學術生涯一帆風順,先後獲得電子工程博士學位、當選電氣電子工程師學會院士,受專業的影響,梁孟松從事於超微半導體負責記憶體相關工作 [16] 

梁孟松主要經歷

1992年,梁孟松擔任台積電工程師、資深研發處長,是台積電近500個專利的發明人 [12] 
2003年,梁孟松助力台積電在130納米制程工藝中擊敗IBM [12] 
2009年,梁孟松離開台積電,加入韓國三星進行芯片研發,並帶領團隊讓三星在14nm芯片技術上一度超過台積電。併成功從台積電手中搶下蘋果A9處理器和高通的訂單,讓台積電股價大跌 [12] 
2010年10月,梁孟松在韓國成均館大學擔任訪問教授,並於2011年7月正式加入三星集團,擔任三星LSI部門技術長及三星晶圓代工執行副總 [14] 
2011年底,台積電以泄露公司機密為由對梁孟松發起訴訟,最終梁孟松敗訴,並被要求在2015年12月31日之前不得任職或以其他方式繼續為三星提供任何服務 [12] 
2017年10月16日,梁孟松獲委任為中芯國際聯合首席執行官兼執行董事 [2] 
2020年2月,梁孟松在財報會議中介紹,來自14nm的營收將穩步上升,產能隨着中芯南方12英寸廠的產能爬坡而增長 [4] 
2020年12月,中芯國際CEO梁孟松請辭 [3]  。中芯國際執行董事兼聯合首席執行官梁孟松博士為了專注於履行其作為公司聯合首席執行官的職責,辭任執行董事職務,自2021年11月11日起生效 [8] 
2021年11月11日,梁孟松不再擔任執行董事,繼續擔任中芯國際聯合首席執行官 [9] 

梁孟松主要貢獻

梁孟松中芯國際

2016年2月份,中芯國際就宣佈28納米工藝進入設計定案階段(tape-out),但良品率一直不穩定。梁孟松來到中芯國際後,在其率領團隊的努力下,用了不到一年時間就將中芯國際28納米工藝良品率提升至85%以上 [13] 
不過,同年2月,聯芯集成電路製造(廈門)有限公司試產28納米,其良品率高達98%。而台積電南京廠也於2018年量產16納米制程。因此,中芯國際在28納米領域並沒有足夠大的優勢 [13] 
有鑑於此,梁孟松在研發上採取了跳代的方式。梁孟松到來之前,中芯國際(與台積電、三星)的差距是逐年拉大的。他到來之後,中芯國際的研發採取了跳代的方式,直接跳到14nm,之後繼續向N+1、N+2發展 [13] 

梁孟松發明專利

集成電路結構的形成方法專利號:CN201310390288.3 [5] 
集成電路與其形成方法與電子組專利號:CN200410042978.0 [6] 

梁孟松所獲榮譽

2021年,福布斯中國最佳CEO榜排名第28位 [7] 
參考資料
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