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林蘭英
(中國科學院院士、半導體材料科學家)
鎖定
林蘭英於1940年從福建協和大學畢業後留校任教;1948年赴美留學,進入賓夕法尼亞州迪金森學院數學系學習;1949年獲得迪金森學院數學學士學位,同年進入賓夕法尼亞大學研究生院進行固體物理的研究,先後獲得碩士、博士學位;1955年博士畢業後進入紐約長島的索菲尼亞公司擔任高級工程師進行半導體研究;1957年1月回到中國,並進入中國科學院物理研究所工作;1960年中國科學院半導體研究所成立後,林蘭英擔任該所研究員;1977年至1983年擔任中國科學院半導體研究所副所長;1980年當選為中國科學院學部委員(院士);2003年3月4日在北京逝世,享年85歲
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。
- 中文名
- 林蘭英
- 國 籍
- 中國
- 民 族
- 漢族
- 出生地
- 福建莆田
- 出生日期
- 1918年02月07日
- 逝世日期
- 2003年03月04日
- 畢業院校
- 美國賓夕法尼亞大學
- 職 業
- 教育科研工作者
- 代表作品
- 《林蘭英論文選》
- 主要成就
- 1980年當選為中國科學院學部委員(院士)
- 性 別
- 女
林蘭英人物生平
1918年2月7日(農曆丁巳年十二月二十六日),林蘭英出生於福建莆田縣。幼年為了上學,經過一番絕食鬥爭,家人同意林蘭英上了礪青小學,林蘭英在礪青小學的成績始終在有着40多名男女學生的班中佔居前兩名,校長彭介之決定保送她進入礪青中學。
1930年9月,進入礪青中學初中部一年級,初中六個學期她都保持全年級第一。
1933年9月,進入莆田中學高中部一年級,成了當時高一年級唯一的一名女生,後來由於莆田中學搞起了學生運動,林蘭英對運動本無興趣,轉學至莆田縣惟一的一所教會女子中學——鹹益中學就讀。
1944年,擔任福建協和大學講師。
1947年5月,福建協和大學與美國賓夕法尼亞州的迪金森學院建立互換留學生的關係。
1948年8月9日,遠涉重洋到美國留學,進入國賓夕法尼亞州的迪金森學院數學系學習。
1951年,獲得賓夕法尼亞大學固體物理學碩士學位,之後繼續攻讀博士學位,師從米勒教授。
林蘭英(4張)
1956年6月,林蘭英以“母親重病”為由,向印度駐美國大使館提交回國申請,9月使館通知她填寫有關回國事宜的表格。
1957年1月29日,幾經周折抗爭,林蘭英乘坐的客輪安抵香港,在國務院辦公廳周密安排下,她走上了深圳羅湖橋頭,回到了中國,之後由大弟林文豪送她經上海去北京,進入中國科學院物理研究所工作,歷任研究員,副所長。
1960年,擔任中國科學院半導體研究所研究員。
1966年,“文革”開始那年,她還與中國第一位女院士林巧稚一同登上天安門城樓,事後便跌於“文革”的沼澤中。
1980年,當選為中國科學院學部委員(院士)。
林蘭英主要成就
林蘭英科研成就
- 科研綜述
林蘭英先後負責研製成中國第一根硅、銻化銦、砷化鎵、磷化鎵等單晶,為中國微電子和光電子學的發展奠定了基礎,負責研製的高純度汽相和液相外延材料達到國際先水平。開創了中國微重力半導體材料科學研究新領域,並在砷化鎵晶體太空生長和性質研究方面取得了一定的成績
[8]
。
1958年秋天,林蘭英研發出中國第一根硅單晶,為製造出無位錯硅單晶,林蘭英又投入研發硅單晶爐。她仔細考察、分析了蘇聯封閉式硅單晶爐,發現了不足,開始研究設計中國式硅單晶爐。1961年的深秋,由林蘭英主持設計加工的中國第一台開門式硅單晶爐製造成功。1962年春,林蘭英依靠國產第一台開門式硅單晶爐,正式啓動拉制工作。中國第一根無位錯的硅單晶拉制成功,無位錯達國際先進水平
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。
- 科研成果獎勵
時間 | 項目名稱 | 獎勵名稱 |
---|---|---|
1981年 | 4K和16K硅DRAM及提高成品率研究 | 中國科學院科學技術進步獎一等獎 |
1985年 | 提高砷化鎵材料質量的研究 | |
1986年 | 高壓液封法生長熱穩定不摻雜半絕緣GaAs | |
1989年 | 微重力條件下從溶體生長GaAs單晶及性質研究 | |
1990年 | 等電子雜質In在GaAs中行為的研究 | |
1991年 | 集成電路用半絕緣砷化鎵熱穩定性和均勻性研究 | |
1995年 | 高質量GaAs/AlGaAs二維電子氣材料研製及其器件應用 | |
1996年 | ф2”和 ф3”非摻Si-GaAs單晶(片)研究 |
林蘭英人才培養
- 講授課程
林蘭英榮譽表彰
時間 | 榮譽表彰 | 授予單位 |
---|---|---|
1980年 | 中國科學院學部委員(院士) | 中華人民共和國國務院
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1996年 | ||
1998年 | 霍英東成就獎 |
林蘭英社會任職
時間 | 擔任職務 |
---|---|
1975年—1993年 | |
1978年—1985年 | 中國電子材料行業協會主任委員 |
1980年—1996年 | 中國科學技術協會副主席(第二至四屆) |
1986年 | 國家自然科學基金委員會委員 |
林蘭英個人生活
- 家世背景
林蘭英人物評價
林蘭英後世紀念
- 林蘭英故居
2002年,因莆田舊城改造,林潤故居原樣遷移到莆田城南鄉溝頭村的莆田一中新校區內,內含林潤的後裔、林蘭英院士故居。林蘭英去世後,骨灰從北京運至林潤故居內埋葬並建立林蘭英陵園。故居的廳堂豎立林蘭英塑像。林蘭英在北京的住宅和辦公室中的所有書籍和傢俱也運回莆田故居,陳列在林潤故居內
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- 林蘭英院士塑像
- 林蘭英院士紀念文集
- 紀念林蘭英院士逝世十週年座談會
- 參考資料
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- 1. 專家人才 > 兩院院士 > 林蘭英 .中國科學院半導體研究所[引用日期2019-04-08]
- 2. 林蘭英 福建莆田縣 .何梁何利基金[引用日期2019-04-08]
- 3. 中華人民共和國第六屆全國人民代表大會代表名單 .中國人大網[引用日期2019-04-08]
- 4. 中華人民共和國第七屆全國人民代表大會代表名單 .中國人大網[引用日期2019-04-08]
- 5. 中國太空材料之母 林蘭英塑像莆田揭幕(圖) .新浪新聞.2004年12月22日[引用日期2019-04-08]
- 6. 林潤故居和林蘭英故居——記一門兩故居 .福建師範大學[引用日期2019-05-21]
- 7. 攀登科學高峯的赤子心 ——記歸僑院士、中國半導體材料科學的奠基人和開拓者林蘭英 .- 莆田僑鄉時報[引用日期2021-07-23]
- 8. 林蘭英----半導體材料科學家 .中國科學院學部與院士[引用日期2021-09-12]
- 9. 關於領取《林蘭英院士紀念文集》的通知 .中國科學院半導體研究所.2013-08-19[引用日期2021-09-12]
- 10. 關於召開“紀念林蘭英院士逝世十週年座談會”的通知 .中國科學院半導體研究所.2013-02-27[引用日期2021-09-12]
- 11. 所情概況 > 歷任領導 .中國科學院半導體研究所[引用日期2021-09-12]
- 12. 提高砷化鎵材料質量的研究 .中國科學院半導體研究所[引用日期2021-09-12]
- 13. 高壓液封法生長熱穩定不摻雜半絕緣GaAs .中國科學院半導體研究所[引用日期2021-09-12]
- 14. 微重力條件下從溶體生長GaAs單晶及性質研究 .中國科學院半導體研究所[引用日期2021-09-12]
- 15. 等電子雜質In在GaAs中行為的研究 .中國科學院半導體研究所[引用日期2021-09-12]
- 16. 集成電路用半絕緣砷化鎵熱穩定性和均勻性研究 .中國科學院半導體研究所[引用日期2021-09-12]
- 17. 高質量GaAs/AlGaAs二維電子氣材料研製及其器件應用 .中國科學院半導體研究所[引用日期2021-09-12]
- 18. ф2”和 ф3”非摻Si-GaAs單晶(片)研究 .中國科學院半導體研究所[引用日期2021-09-12]
- 19. 林蘭英:中國半導體材料科學的先驅 .中國僑網.2009-08-06[引用日期2021-09-12]
- 20. 院士信息 > 已故院士名單 > 林蘭英 .中國科學院[引用日期2021-09-12]
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