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林蘭英

(中國科學院院士、半導體材料科學家)

鎖定
林蘭英(1918年2月7日—2003年3月4日),女,福建莆田人。半導體材料科學家,中國科學院學部委員中國科學院半導體研究所研究員、博士生導師 [1] 
林蘭英於1940年從福建協和大學畢業後留校任教;1948年赴美留學,進入賓夕法尼亞州迪金森學院數學系學習;1949年獲得迪金森學院數學學士學位,同年進入賓夕法尼亞大學研究生院進行固體物理的研究,先後獲得碩士、博士學位;1955年博士畢業後進入紐約長島的索菲尼亞公司擔任高級工程師進行半導體研究;1957年1月回到中國,並進入中國科學院物理研究所工作;1960年中國科學院半導體研究所成立後,林蘭英擔任該所研究員;1977年至1983年擔任中國科學院半導體研究所副所長;1980年當選為中國科學院學部委員(院士);2003年3月4日在北京逝世,享年85歲 [20] 
林蘭英主要從事半導體材料製備及物理的研究。在鍺單晶、硅單晶、砷化鎵單晶和高純銻化銦單晶的製備及性質等研究方面獲得成果,其中砷化鎵氣相和液相外延單晶的純度及電子遷移率,均達到國際先進水平 [1] 
中文名
林蘭英
國    籍
中國
民    族
漢族
出生地
福建莆田
出生日期
1918年02月07日
逝世日期
2003年03月04日
畢業院校
美國賓夕法尼亞大學
職    業
教育科研工作者
代表作品
《林蘭英論文選》
主要成就
1980年當選為中國科學院學部委員(院士)
性    別

林蘭英人物生平

青年林蘭英(前) 青年林蘭英(前) [7]
1918年2月7日(農曆丁巳年十二月二十六日),林蘭英出生於福建莆田縣。幼年為了上學,經過一番絕食鬥爭,家人同意林蘭英上了礪青小學,林蘭英在礪青小學的成績始終在有着40多名男女學生的班中佔居前兩名,校長彭介之決定保送她進入礪青中學。
1930年9月,進入礪青中學初中部一年級,初中六個學期她都保持全年級第一。
1933年9月,進入莆田中學高中部一年級,成了當時高一年級唯一的一名女生,後來由於莆田中學搞起了學生運動,林蘭英對運動本無興趣,轉學至莆田縣惟一的一所教會女子中學——鹹益中學就讀。
1936年,考入福建協和大學(現福建師範大學)物理系。
1955年林蘭英獲得博士學位 1955年林蘭英獲得博士學位 [7]
1940年,從福建協和大學畢業後作為優秀生留校任助教。
1944年,擔任福建協和大學講師。
1947年5月,福建協和大學與美國賓夕法尼亞州的迪金森學院建立互換留學生的關係。
1948年8月9日,遠涉重洋到美國留學,進入國賓夕法尼亞州的迪金森學院數學系學習。
1958年林蘭英在實驗室工作 1958年林蘭英在實驗室工作 [7]
1949年,獲得迪金森學院數學學士學位,同時獲得美國大學榮譽學會迪金森分會獎勵她的一枚金鑰匙;同年深秋,進入賓夕法尼亞大學研究生院,開始了固體物理的研究。
1951年,獲得賓夕法尼亞大學固體物理學碩士學位,之後繼續攻讀博士學位,師從米勒教授。
林蘭英
林蘭英(4張)
1955年6月,憑藉博士論文《弱X射線輻照引起氯化鉀和氯化鈉晶體的膨脹》獲得賓夕法尼亞大學固體物理學博士學位,是該校建校215年以來,第一位獲得博士學位的中國人,也是該校有史以來的第一位女博士。博士畢業後,導師推薦她去紐約長島專司半導體研究的索菲尼亞公司任高級工程師。之後,她被聘為從事半導體科研工作的索菲尼亞公司(Sylvania公司)高級工程師,靠林蘭英傑出的科學分析指導,公司成功地造出了第一根硅單晶,不久,又為公司申報了兩項專利,公司三次提高她的年薪。林蘭英回國時索菲尼亞公司給她年薪10000美元,回國後每月207元人民幣。
1956年6月,林蘭英以“母親重病”為由,向印度駐美國大使館提交回國申請,9月使館通知她填寫有關回國事宜的表格。
1957年1月29日,幾經周折抗爭,林蘭英乘坐的客輪安抵香港,在國務院辦公廳周密安排下,她走上了深圳羅湖橋頭,回到了中國,之後由大弟林文豪送她經上海去北京,進入中國科學院物理研究所工作,歷任研究員,副所長。
1960年,擔任中國科學院半導體研究所研究員。
1966年,“文革”開始那年,她還與中國第一位女院士林巧稚一同登上天安門城樓,事後便跌於“文革”的沼澤中。
1977年—1983年,擔任中國科學院半導體研究所副所長 [11] 
1980年,當選為中國科學院學部委員(院士)。
2003年3月4日,在北京因病醫治無效逝世,享年85歲 [19] 

林蘭英主要成就

林蘭英科研成就

  • 科研綜述
林蘭英先後負責研製成中國第一根硅、銻化銦、砷化鎵、磷化鎵等單晶,為中國微電子和光電子學的發展奠定了基礎,負責研製的高純度汽相和液相外延材料達到國際先水平。開創了中國微重力半導體材料科學研究新領域,並在砷化鎵晶體太空生長和性質研究方面取得了一定的成績 [8] 
1958年秋天,林蘭英研發出中國第一根硅單晶,為製造出無位錯硅單晶,林蘭英又投入研發硅單晶爐。她仔細考察、分析了蘇聯封閉式硅單晶爐,發現了不足,開始研究設計中國式硅單晶爐。1961年的深秋,由林蘭英主持設計加工的中國第一台開門式硅單晶爐製造成功。1962年春,林蘭英依靠國產第一台開門式硅單晶爐,正式啓動拉制工作。中國第一根無位錯的硅單晶拉制成功,無位錯達國際先進水平 [7] 
  • 科研成果獎勵
根據2021年6月《莆田僑鄉時報》顯示,林蘭英先後四次獲得中國科學院科技進步獎一等獎,兩次獲國家科技進步二、三等獎 [7] 
時間
項目名稱
獎勵名稱
1981年
4K和16K硅DRAM及提高成品率研究
中國科學院科學技術進步獎一等獎
1985年
提高砷化鎵材料質量的研究
國家科學技術進步獎二等獎(排名第一) [12] 
1986年
高壓液封法生長熱穩定不摻雜半絕緣GaAs
中國科學院科學技術進步獎三等獎(排名第一) [13] 
1989年
微重力條件下從溶體生長GaAs單晶及性質研究
中國科學院科學技術進步獎一等獎(排名第一) [14] 
1990年
等電子雜質In在GaAs中行為的研究
中國科學院科學技術進步獎三等獎(排名第一) [15] 
1991年
集成電路用半絕緣砷化鎵熱穩定性和均勻性研究
中國科學院科學技術進步獎三等獎(排名第一) [16] 
1995年
高質量GaAs/AlGaAs二維電子氣材料研製及其器件應用
中國科學院科學技術進步獎二等獎(排名第六) [17] 
1996年
ф2”和 ф3”非摻Si-GaAs單晶(片)研究
中國科學院科學技術進步獎二等獎(排名第一) [18] 

林蘭英人才培養

  • 講授課程
1940年,林蘭英從福建協和大學畢業後作為優秀生留校任助教,教授《普通物理學》《高等數學》《光學》《物性聲學》《電磁學》等課程 [7] 

林蘭英榮譽表彰

時間
榮譽表彰
授予單位
1980年
中國科學院學部委員(院士)
1996年
何梁何利基金 [2] 
1998年
霍英東成就獎

林蘭英社會任職

時間
擔任職務
1975年—1993年
中華人民共和國第四、五、六、七屆全國人民代表大會代表 [3-4] 
1978年—1985年
1980年—1996年
中國科學技術協會副主席(第二至四屆)
1986年
國家自然科學基金委員會委員

林蘭英個人生活

  • 家世背景
林蘭英的祖先林潤(1530-1569)是明朝嘉靖年間的御史大夫。因扳倒當朝丞相姦臣嚴嵩父子而名震朝野 [6]  。林蘭英的祖父經商有成,父親大學畢業後在外地工作,母親在家主持家政 [7] 

林蘭英人物評價

林蘭英是中國半導體科學事業開拓者之一 [8] (中國科學院學部與院士評)
林蘭英從事半導體材料科學40年,是中國半導體材料科學的奠基人,對中國半導體材料科學的發展作出了重大貢獻 [2] (何梁何利基金評)
林蘭英的工作極大地推進了中國半導體材料的研究高度,為微電子和光電子學的發展奠定了基礎,為中國太空事業做出巨大貢獻 [7] (《莆田僑鄉時報》評)
林蘭英是中國半導體材料科技最著名的開拓者,她帶動同事一起創造了多個“新中國的第一”,受到全世界科學家關注,被譽為“中國太空材料之母” [5] (新浪新聞評)

林蘭英後世紀念

  • 林蘭英故居
2002年,因莆田舊城改造,林潤故居原樣遷移到莆田城南鄉溝頭村的莆田一中新校區內,內含林潤的後裔、林蘭英院士故居。林蘭英去世後,骨灰從北京運至林潤故居內埋葬並建立林蘭英陵園。故居的廳堂豎立林蘭英塑像。林蘭英在北京的住宅和辦公室中的所有書籍和傢俱也運回莆田故居,陳列在林潤故居內 [6] 
  • 林蘭英院士塑像
2004年12月,林蘭英院士塑像揭幕儀式在莆田第一中學舉行,中國科學院半導體研究所所長李晉閩及莆田市有關領導、部分科技專家、教師和學生共數千人蔘加了揭幕儀式 [5] 
  • 林蘭英院士紀念文集
2013年,在林蘭英院士逝世十週年之際,為表達對她的思念之情和敬仰之意,學習老一輩科學家的高尚品德和創新精神,中國科學院半導體研究所特編輯製作了《林蘭英院士紀念文集》 [9] 
  • 紀念林蘭英院士逝世十週年座談會
2013年3月4日,在林蘭英院士逝世10週年之際,為了弘揚她的愛國精神、回顧她的傑出成就、秉承她的科學思想,在中國科學院半導體研究所學術會議中心召開紀念林蘭英院士逝世十週年座談會 [10] 
參考資料
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