朱建軍

1992年7月獲大連理工大學應用物理系學士學位；

1995年7月獲北京師範大學物理系凝聚態物理專業碩士學位；

1998年7月獲中科院半導體研究所半導體材料與物理專業博士學位；

1998年8月至2011年1月，中國科學院半導體研究所集成光電子國家重點實驗室工作。

2011年1月，加入中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米加工平台。

參與研製國內首台能同時生長3C-SiC和厚膜GaN材料的高温CVD/HVPE複合澱積系統。在其基礎上完成了自然科學基金項目“藍色發光二極管用SiC 材料生長的基礎研究”。承擔中國科學院應用研究與發展重點項目“GaN/SiC/Si 異質外延材料的生長與研究”以及863 項目“高亮度藍光、綠光LED 的產品開發和規模化生產關鍵技術的研究”中“氮化物立方GaN 藍、綠光發光器件研製與產品開發”子課題，並順利完成。參與和承擔“氮化鎵激光器”、“氮化鎵紫外探測器”“GaN/Si基材料生長與研究”等多項863 項目的研究，主要從事GaN/Si(111)材料、GaN/Al2O3、AlGaN/GaN 超晶格材料以及InGaN/GaN 量子阱的生長與分析。把質量管理中常用的試驗設計方法引入到GaN基材料與器件結構的外延生長，成功製備了GaN 基激光器結構外延片；在此基礎上中科院半導體所實現了中國大陸第一隻GaN基脈衝激射和室温連續工作激光器的成功研製。承擔863項目“高效大功率半導體燈用近紫外LED生產技術研究”，順利完成。承擔自然科學基金項目“AlInN 材料的MOCVD 生長與應用研究”（批准號 60576003，2006,1-2008,12），順利完成，最終評定結果為優承擔中科院重大科研裝備研製項目“III族氮化物生長用原子層化學氣相澱積系統”，設計並研製成功了兼具原子層外延和MOCVD外延優點的外延生長系統，尤其適合於生長高Al組份的三族氮化物，順利通過中科院專家組的驗收。參與創建蘇州納維科技有限公司，主要負責HVPE設備的設計、研製以及HVPE生長工藝的開發。主持設計了水平和垂直兩種HVPE生長設備，成功用於GaN自支撐襯底的生長。

未來五年擬開展的工作主要是生產型金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）系統及相關配套設備的研製與生產。該種設備主要針對III族氮化物基光電子、微電子器件結構材料的外延生長進行結構設計。同時，結合先進的在位監測手段，集成多種工藝和技術，致力於提高設備的生產能力，降低設備生產成本和使用成本，提高原材料的利用率，減少對環境的污染。該設備的工程化研究具體內容主要包括：（1）反應室的結構設計、模擬、仿真及虛擬製造技術；（2）高控制精度、低響應時間的MOCVD系統氣路設計和加工技術；（3）系統的自動化、智能化控制技術和人機操作系統、數據記錄與挖掘系統的設計與開發；（4）綠色尾氣處理系統和氣體循環利用系統的研製；（5）能提供閉環控制能力的在位監測系統的的設計與製造；（6）MOCVD外延生長工藝開發、材料生長的熱力學、動力學過程的理論與實驗研究、模擬與仿真，同時開展材料生長的計算機實驗技術研究。（7）MOCVD裝備的穩定性、重複性、可靠性測試分析技術與保障系統的研究；（8）功能拓展能力強的開放式MOCVD架構研究等。通過五年的研究，預期形成滿足LED以及功率電子器件等量產需求的MOCVD設備研製和生產能力。