朱世富

主要科研方向為：新型光電信息材料與元器件的製備與表徵研究。作為課題負責人或主研人員，完成國家“863計劃”、國家“八、五”攻關、國家自然科學基金、核工業科學基金和四川省應用基礎研究課題等10多項，兩次獲得國家發明二等獎和多項部省級獎勵，獲國家專利2項。

目前承擔着包括國家自然科學基金（課題負責人）、教育部重點科技項目（課題負責人）、教育部博士點基金（課題負責人）和四川省應用基礎研究（課題負責人）等課題。主要研究內容為新型光電信息功能材料的合成、晶體生長與元器件的製備與表徵及其應用研究。

近年作為第一發明人，發明了“坩堝旋轉下降法”， 生長出高品質的AgGaSe2大單晶體，並研製成紅外非線性光學倍頻器件，質量達到國際先進水平。因此“硒鎵銀單晶體的研製”獲得2000年度國家技術發明二等獎（當年無一等獎），出席了北京召開的“國家科學技術獎勵大會”，受到了以江澤民同志為首的黨和國家領導人的親切接見和頒獎。

九十年代初期作為第三發明人，發明了“氣相定點成核法”，生長出300克重的HgI2大單晶體，並研製成室温核輻射探測器，質量達到國際先進水平。因此獲得1992年國家發明二等獎（當年無一等獎）。

此外，99年獲得教育部科技進步二等獎（排名第一）、91年四川省科技進步二等獎、91年成都市科技進步一等獎、97和2000年兩次四川省優秀教學成果二等獎和全國第六屆發明展覽會金獎等多項獎勵。

在《J. Crystal Growth》、《Cryst. Res. Technol.》和《Materials Chemistry and Physics》等國內外學術刊物上發表論文80多篇，被《SCI》、《EI》收錄30多篇，有多篇被同行引用。99年受Petter教授的邀請曾前往英國Bath大學訪問講學。

教學方面：先後為博士、碩士研究生和本科生開設並主講課程10多門，包括《材料物理與化學前沿》、《光電信息材料概論》、《材料製備科學與技術》等課程。獨立編著出版《材料製備工藝學》教材一本。2000年獲全國寶鋼教育獎（個人獎）。

招收研究生專業方向：材料物理與化學專業（光電信息材料與器件方向）、凝聚態物理專業（光電材料與器件方向）和光學工程專業（非線性光學材料與器件方向）的博士研究生、凝聚態物理專業（光電材料與器件方向）和材料物理與化學專業（光電子材料與物理方向）的碩士研究生，目前指導着博士、碩士研究生10多人。 ^[1]