本徵擊穿

在彙集實驗數據的基礎上，對半導體和絕緣體材料的本徵擊穿電場與其禁帶寬度之間關係的通用表達。根據半導體與絕緣體本徵擊穿電場規律的不同，依據禁帶寬度Eg值對材料進行明確統一分類的定量判據，擊穿場判據。計算了出多種重要的二元化合物半導體及高k柵介質的本徵擊穿電場預期值 ^[1]  。

在深亞微米技術中，靜電放電（ESD）是造成大多數電子元器件或電路系統破壞的主要因素。因此，電子產品中必須加上ESD保護，提供ESD電流泄放路徑。電路模擬可應用於設計和優化新型ESD保護電路，使ESD保護器件的設計不再停留於舊的設計模式。文中討論了器件由ESD引起的熱效應的失效機理及研究熱效應所使用的模型。介紹用於ESD模擬的軟件，並對一些相關模擬結果進行了分析比較。

當器件受到電流注入影響時，器件的功率耗散導致了內部温度的增加。假如器件參數變化不受電熱效應影響，而只受焦耳效應影響，內部温度將接近半導體材料的熔點。但事實上，熱擊穿是發生在低於熔點的温度。對於晶體管這個擊穿被定義為二次擊穿，區別於發生在較低電流注入時的雪崩擊穿 ^[2]  。

熱擊穿為固體電介質擊穿的一種形式。擊穿電壓隨温度和電壓作用時間的延長而迅速下降，這時的擊穿過程與電介質中的熱過程有關，稱為熱擊穿。

熱擊穿的本質是處於電場中的介質，由於其中的介質損耗而產生熱量，就是電勢能轉換為熱量，當外加電壓足夠高時，就可能從散熱與發熱的熱平衡狀態轉入不平衡狀態，若發出的熱量比散去的多，介質温度將愈來愈高，直至出現永久性損壞，這就是熱擊穿 ^[3]  。