曝光後烘烤

曝光後烘烤是以一定温度烘烤曝光後的硅片，目的是降低駐波效應的影響以及使化學反應更充分 ^[1]  。

在曝光過程中，在曝光區與非曝光區邊界將會出現駐波效應，駐波效應將會在兩個區域的邊界附近形成強弱相間的過渡區，這將影響顯影后形成的圖形尺寸和分辨率。為了降低駐波效應的影響，在曝光後需要進行烘焙，稱為曝光後烘烤 ^[2]  。同時光致抗蝕劑（光刻膠）被曝光後其光致化學反應並未完全結束，此時需要通過一定温度的烘烤使其反應完全，同時通過光致反應產生的活性成分在此過程中產生擴散，從而通過化學方法增強由光強分佈產生的潛像，更精確的控制圖形形貌。不同的烘烤温度以及烘烤時間會造成不同速度的光酸反應，會影響到最終圖形的形貌，典型PEB條件為110°-130°，熱板時間為幾十秒到2分鐘 ^[3]  。