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晶體管飽和區
鎖定
晶體管飽和區是指集電結和發射結均正偏，集電極電流不受基極電流控制的區域，也稱飽和工作區。
- 中文名
- 晶體管飽和區
- 外文名
- Saturation Region
- 學科領域
- 模擬電子技術
晶體管飽和區基本信息
對於共射接法晶體管，飽和區是I(B)＞0和U(CE)＜0.7V的區域。
晶體管飽和區基本原理
當U(CE)＜0.7V時，U(CB)=U(CE)＜U(BE)，集電結正偏，若U(CE)很小（如0.1V~0.3V），即使I(B)增大，I(C)也很少增加，即集電結吸引來自發射區多子的能力大大下降，已經“飽和”了。也可以用曲線U(CE)=U(BE)作為飽和區和放大區的分界線。
晶體管飽和區主要特點
- 集電結和發射結均正偏；
- I(C)取值與U(CE)有很大關係，I(C)隨U(CE)的增大而增大；
- I(C)取值與I(B)不成比例，線性放大無法實現；
- 各條輸出特性曲線的起始部分密集；
- 晶體管沒有放大作用，集電極和發射極相當於短路，可與截止區配合，用於開關電路。
