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晶體管圖示儀

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晶體管特性圖示儀是一種能對晶體管的特性參數進行測試的儀器。熒光屏的刻度可以直接觀測半導體管的共集電極,共基板和共發射極的輸入特性,輸出特徵,轉換特徵,β參數以及α參數等,並可根據需要,測量半導體管的其他各項極限特性與擊穿特性參數。
中文名
晶體管圖示儀
預熱時間
15min
功率消耗
約45VA(最大時約92VA)
電    源
220V±10% 50Hz±5%

晶體管圖示儀使用簡介

晶體管圖示儀“電壓(v)/度”旋鈕開關

此旋鈕開關是一個具有4種偏轉作用共17擋的旋鈕開關,用來選擇圖示儀x軸所代表的變量及其倍率。在測試小功率晶體管的輸出特性曲線時,該旋鈕置VCE的有關擋。測量輸入特性曲線時,該旋鈕置VBE的有關擋。

晶體管圖示儀“電流/度”旋鈕開關

此旋鈕開關是一個具有4種偏轉作用共22擋的旋鈕開關,用來選擇圖示儀Y軸所代表的變量及其倍率。在測試小功率晶體管的輸出特性曲線時,該旋鈕置Ic的有關擋。測量輸入特性時,該旋鈕置“基極電流基極源電壓”擋(儀器面板上畫有階梯波形的一擋)。
3.“峯值電壓範圍”開關和“峯值電壓%”旋鈕
“峯值電壓範圍’’是5個擋位的按鍵開關。“峯值電壓%”是連續可調的旋鈕。它們的共同作用是用來控制“集電極掃描電壓”的大小。不管“峯值電壓範圍”置於哪一擋,都必須在開始時將“峯值電壓%”置於0位,然後逐漸小心地增大到一定值。否則容易損壞被測管。一個管子測試完畢後,“峯值電壓%”旋鈕應回調至零。

晶體管圖示儀“功耗限制電阻”旋鈕

“功耗限制電阻”相當於晶體管放大器中的集電極電阻,它串聯在被測晶體管的集電極與集電極掃描電壓源之間,用來調節流過晶體管的電流,從而限制被測管的功耗。測試功率管時,一般選該電阻值為1kΩ。

晶體管圖示儀“基極階梯信號”旋鈕

此旋鈕給基極加上週期性變化的電流信號。每兩級階梯信號之間的差值大小由“階梯選擇毫安/級”來選擇。為方便起見,一般選10μA。每個週期中階梯信號的階梯數由“級族”來選擇,階梯信號每簇的級數,實際上就是在圖示儀上所能顯示的輸出特性曲線的根數。階梯信號每一級的毫安值的大小,就反映了圖示儀上所顯示的輸出特性曲線的疏密程度。

晶體管圖示儀“零電壓”、“零電流”開關

此開關是對被測晶體管基極狀態進行設置的開關。當測量管子的擊穿電壓穿透電流時,都需要使被測管的基極處於開路狀態。這時可以將該開關設置在“零電流”擋(只有開路時,才能保證電流為零)。當測量晶體管的擊穿電流時,需要使被測管的基、射極短路,這時可以通過將該開關設置在“零電壓”擋來實現。

晶體管圖示儀基本參數

熒光屏的刻度可以直接觀測半導體管的共集電極,共基板和共發射極的輸入特性,輸出特徵,轉換特徵,β參數以及α參數等,並可根據需要,測量半導體管的其他各項極限特性與擊穿特性參數,如反向飽和電流Icbo,Iceo和各種擊穿電壓BVceo、BVcbo、BVebo等。
可以從示波管的熒光屏上自動顯示同一只半導體管的四種h參數,也可以同時進行二隻半導體管的四種h參數自動比較或任選的兩種h參數自動比較。
Y軸
集電極電流範圍:1μA-200mA/div ,按1、2、5順序分17檔,誤差≤±3%
漏電流範圍:10nA-500nA/div,按1、2、5順序分6檔,誤差≤±10%
基極源電壓:0.01V-1V/div,按1、2、5順序分7檔,誤差≤±3%
X軸
集電極電壓範圍:0.01V-50V/div ,按1、2、5順序分12檔,誤差≤±3%
基極電流或基極源電壓:0.1V/div ,誤差≤±3%
階梯信號
階梯電流範圍:0.1μA/級-20mA/級 ,按1、2、5順序分17檔,誤差≤±5%
階梯電壓範圍:0.01V/級-1V/級 ,按1、2、5順序分7檔,誤差≤±5%
階梯極性:正、負兩檔,由測試盒NPN,PNP轉換開關實現
串聯電阻:0-300KΩ,按1,3順序分為11檔,誤差≤±5%
每秒級數:200
階梯輸入:正常、零電壓、零電流三檔
集電極掃描信號
峯值電壓及電流容量:0-50V 2A(峯值) 0-500V 0.2A(峯值)
功耗限制電阻:0-500KΩ ,按1、2、5順序分19檔,誤差≤±5%
校準電壓:可進行—10div校準,分—0.1V、—0.2V、—0.5V、—1V四檔
電源:220V±10% 50Hz±5%
功率消耗:約45VA(最大時約92VA)
預熱時間:15min