晶體硅光電池

晶體硅光電池採用埋層電極、表面鈍化、強化陷光、密柵工藝、優化背電極及接觸電極等技術，提高材料中的載流子收集效率，優化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背電極等方式，光電轉換效率有較大提高。單晶硅光電池面積有限，比較大的為 ∮10至 20cm的圓片，年產能力46MW/a。

主要課題是繼續擴大產業規模，開發帶狀硅光電池技術，提高材料利用率。國際公認最高效率在AM1.5條件下為24%，空間用高質量的效率在AMO條件約為13.5—18%地面用大量生產的在AM1條件下多在11—18%之間。以定向凝固法生長的鑄造多晶硅錠代替全國重點文物保護單位晶硅，可降低成本，但效率較低。優化正背電極的銀漿和鋁漿絲網印刷，磨圖拋工藝，千方百計進一步降成本，提高效率，大晶粒多晶硅光電池的轉換效率最高18.6%。